[发明专利]可提升反应速度的驱动电路及其相关方法有效
申请号: | 200810133849.0 | 申请日: | 2008-07-17 |
公开(公告)号: | CN101630944A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 陈季廷;林直庆 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;G09G3/36;H03K5/24;H03K19/003;G05F3/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 反应速度 驱动 电路 及其 相关 方法 | ||
1.一种可提升反应速度的驱动电路,包含有:
一运算放大器,该运算放大器是一轨对轨运算放大器,用来根据一输 入电压,产生一驱动电压,该运算放大器还包含有:
一P型差动输入对及一N型差动输入对;以及
一定转导电路,该定转导电路包含有一第一电流镜电路、一第二 电流镜电路及一定转导开关电路,该第一电流镜电路及该第二电流镜 电路分别由P型金属氧化半导体晶体管及N型金属氧化物半导体导体 晶体管组成;以及
一回转率提升单元,耦接于该运算放大器,用来在该输入电压变化时, 根据该输入电压与该驱动电压的电压差值,产生一补偿电流至该运算放大 器,以增加该运算放大器的一偏压电流的大小,该回转率提升单元包含有:
一电压比较电路,具有一第一输入端耦接于该输入电压,一第二 输入端耦接于该驱动电压,一第一输出端以及一第二输出端,用来对 该输入电压与该驱动电压进行比较,以在该输入电压大于该驱动电压 时,根据该输入电压与该驱动电压的电压差值,产生一第一控制信号 至该第一输出端,或者在该输入电压小于该驱动电压时,根据该输入 电压与该驱动电压的电压差值,产生一第二控制信号至该第二输出端;
一第一电流运算电路,耦接于该电压比较电路的该第一输出端, 用来根据该第一控制信号,运算产生该补偿电流至该P型差动输入对, 以增加该P型差动输入对的偏压电流的大小;以及
一第二电流运算电路,耦接于该电压比较电路的该第二输出端, 用来根据该第二控制信号,运算产生该补偿电流至该N型差动输入对, 以增加该N型差动输入对的偏压电流的大小;
其中,该回转率提升单元分别通过该定转导电路之第一电流镜电路及 第二电流镜电路作为该第一电流运算电路与该第二电流运算电路。
2.如权利要求1所述的驱动电路,其中该回转率提升单元在该输入电压 上升时,根据该输入电压与该驱动电压的电压差值,产生该补偿电流至该P 型差动输入对,以增加该P型差动输入对的偏压电流的大小。
3.如权利要求1所述的驱动电路,其中该回转率提升单元在该输入电压 下降时,根据该输入电压与该驱动电压的电压差值,产生该补偿电流至该 N型差动输入对,以增加该N型差动输入对的偏压电流的大小。
4.如权利要求1所述的驱动电路,其中该电压比较电路包含有:
一N型金属氧化半导体晶体管,包含有一栅极,耦接于该第一输入端, 一源极,耦接于该第二输入端,以及一漏极,耦接于该第一输出端;以及
一P型金属氧化半导体晶体管,包含有一栅极,耦接于该第一输入端, 一源极,耦接于该第二输入端,以及一漏极,耦接于该第二输出端。
5.如权利要求1所述的驱动电路,其中该第一电流运算电路是一电流镜 电路,其包含有:
一输入端,耦接于该电压比较电路的该第一输出端;
一输出端,耦接于该P型差动输入对的一偏压电流接收端;
一第一P型金属氧化物半导体导体晶体管,包含有一源极耦接于一电 源电压,一漏极耦接于该输入端,以及一栅极耦接于该输入端;以及
一第二P型金属氧化物半导体导体晶体管,包含有一源极耦接于该电 源电压,一漏极耦接于该输出端,以及一栅极耦接至该输入端。
6.如权利要求1所述的驱动电路,其中该第二电流运算电路是一电流镜 电路,其包含有:
一输入端,耦接于该电压比较电路的该第二输出端;
一输出端,耦接于该N型差动输入对的一偏压电流接收端;
一第一N型金属氧化物半导体导体晶体管,包含有一源极耦接于一地 端电压,一漏极耦接于该输入端,以及一栅极耦接于该输入端;以及
一第二N型金属氧化物半导体导体晶体管,包含有一源极,耦接于该 地端电压,一漏极,耦接于该输出端,以及一栅极,耦接至该输入端。
7.如权利要求1所述的驱动电路,其中该回转率提升单元在该输入电压 与该驱动电压的电压差值小于一门槛电压时,停止产生该补偿电流。
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