[发明专利]涡流传感器

权利要求书

1.一种涡流传感器，包括：

空心的传感器线圈，设置在具有多个区的基板附近，并被容纳在 高导磁率材料制成的圆柱形外壳中；

信号源，被配置用于为所述传感器线圈提供AC信号，以在所述 基板上的导电膜中产生涡流；

检测电路，被配置用于获得关于在所述基板的所述多个区上的所 述导电膜中产生的所述涡流的信号数据；以及

控制器，被配置用于基于该信号数据来检测工艺的结束点，

其中所述传感器线圈包括：

激励线圈，其连接到所述信号源，

检测线圈，其用于检测由形成在所述基板上的所述导电膜中 的所述涡流所产生的磁场，

平衡线圈，其与所述检测线圈串联连接，所述检测线圈和所 述平衡线圈以相反的相位彼此连接在一起，以及

线轴，其中所述激励线圈、所述检测线圈和所述平衡线圈缠 绕在所述线轴上，并且

其中所述检测线圈、所述激励线圈和所述平衡线圈在所述线轴上 以所述检测线圈、所述激励线圈和所述平衡线圈的次序排列。

2.根据权利要求1所述的涡流传感器，其中所述控制器被配置 用于采用包括所述多个区中的最佳区上的信号数据值、所述多个区上 的所述信号数据的平均值、所述多个区的期望组合上的所述信号数据 的平均值、有效值、所述信号数据的一阶时间导数、所述信号数据的 二阶时间导数和所述信号数据的n阶时间导数的确定值，并且将该确 定值与预定值进行比较，以检测所述工艺的所述结束点。

3.根据权利要求1所述的涡流传感器，其中所述控制器被配置 用于对所述信号数据进行边缘切割处理，

其中所述信号数据包括阻抗的X和Y分量、相位θ、合成阻抗Z、 频率F和由其转换的膜厚值。

4.根据权利要求1所述的涡流传感器，其中所述控制器被配置 用于利用系数对从所述信号数据计算得来的参考时间进行算术运算， 以计算额外的工艺时间段，并将所述额外的工艺时间段加到所述参考 时间上，以便检测所述工艺的所述结束点。

5.一种基板处理设备，包括：

处理装置，用于对基板进行处理；以及

根据权利要求1至4中任一项所述的涡流传感器。

6.一种抛光设备，包括：

抛光表面；

基板固定装置，被配置用于固定基板并使所述基板挤压所述抛光 表面；以及

根据权利要求1至4中任一项所述的涡流传感器。

7.一种基板淀积设备，包括：

基板淀积装置，被配置用于在基板上淀积导电膜；以及

根据权利要求1至4中任一项所述的涡流传感器。