[发明专利]光掩模信息的获取方法、光掩模的品质表示方法

权利要求书

1.一种获取光掩模的信息的光掩模信息的获取方法，该光掩模使用于：对在施行了蚀刻加工的被加工层上形成的抗蚀膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部构成的规定的转印图形的光掩模在规定的曝光条件下进行曝光，将所述抗蚀膜形成为具有在所述蚀刻加工中成为掩模的抗蚀残膜量的不同部位的抗蚀图形，

该光掩模信息的获取方法，包括：

用与所述规定的曝光条件近似的曝光条件，对所述光掩模或与所述光掩模近似的的测试掩模进行曝光，通过拍摄装置获取所述光掩模或所述测试掩模的透过光图形，生成含有基于获取的透过光图形的透过光图形数据的光掩模信息，

与所述规定的曝光条件近似的曝光条件，是具有相对于所述规定的曝光条件下的成像光学系的数值孔径在±0.005的范围内的数值孔径的成像光学系的曝光条件，

与所述光掩模近似的测试掩模，是由与所述光掩模同样的材料制成，且含有同样形状、同样线宽的转印图形的测试掩模或者相对于所述光掩模的图形使线宽按一定的规则改变的测试掩模，

并且将所述光掩模信息与所述光掩模建立对应。

2.如权利要求1所述的光掩模信息的获取方法，其特征在于，

所述被加工层是为了制造液晶显示装置而使用的。

3.如权利要求1所述的光掩模信息的获取方法，其特征在于，

所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，该半透光膜在所述透光部的曝光光透过率设定为100％时具有低于100％的规定的透过率。

4.如权利要求1所述的光掩模信息的获取方法，其特征在于，

所述半透光部具有在透明基板上形成了在所述规定的曝光条件下的析像界限以下的尺寸的微细的遮光图形的部分。

5.如权利要求3或4所述的光掩模信息的获取方法，其特征在于，

所述光掩模信息包括：相对于曝光条件的变化的有关所述半透光部的曝光光透过率的变化倾向的信息。

6.如权利要求3所述的光掩模信息的获取方法，其特征在于，

所述光掩模在半透光部具有半透光膜，所述光掩模信息包括：所述半透光膜的膜厚、或相对于膜质的变化的有关所述半透光部的曝光光透过率的变化倾向的信息。

7.如权利要求3或4所述的光掩模信息的获取方法，其特征在于，

所述光掩模信息包括相对于图形线宽的变化的有关所述半透光部的曝光光透过率的变化倾向的信息。

8.一种表示光掩模的品质的光掩模的品质表示方法，该光掩模使用于：对在施行了蚀刻加工的被加工层上形成的抗蚀膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部构成的规定的转印图形的光掩模在规定的曝光条件下进行曝光，将所述抗蚀膜形成为具有在所述蚀刻加工中成为掩模的抗蚀残膜量的不同部位的抗蚀图形，

该光掩模的品质表示方法，包括以下工序：

用与所述规定的曝光条件近似的曝光条件，对所述光掩模或与所述光掩模近似的的测试掩模进行曝光，通过拍摄装置获取所述光掩模或所述测试掩模的透过光图形，生成含有基于获取的透过光图形的透过光图形数据的光掩模信息；和

将所述光掩模信息与所述光掩模建立对应，

与所述规定的曝光条件近似的曝光条件，是具有相对于所述规定的曝光条件下的成像光学系的数值孔径在±0.005的范围内的数值孔径的成像光学系的曝光条件，

与所述光掩模近似的测试掩模，是由与所述光掩模同样的材料制成，且含有同样形状、同样线宽的转印图形的测试掩模或者相对于所述光掩模的图形使线宽按一定的规则改变的测试掩模。

9.如权利要求8所述的光掩模的品质表示方法，其特征在于，

所述被加工层是为了制造液晶显示装置而使用的。

10.如权利要求8所述的光掩模的品质表示方法，其特征在于，

所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，该半透光膜在所述透光部的曝光光透过率设定为100％时具有低于100％的规定的透过率。

11.如权利要求8所述的光掩模的品质表示方法，其特征在于，

所述半透光部具有在透明基板上形成了在所述规定的曝光条件下的析像界限以下的尺寸的微细的遮光图形的部分。