[发明专利]Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶及其制备方法有效
申请号: | 200810134033.X | 申请日: | 2008-07-22 |
公开(公告)号: | CN101353779A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 高木胜寿;岩崎祐纪;得平雅也;南部旭;越智元隆;后藤裕史;川上信之 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | al ni la si 体系 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
1.一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶,其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t的截面时,其中t为厚度,
(1)按面积分数计,平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成;并且
(2)按面积分数计,平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70%以上,所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
2.根据权利要求1所述的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶,其包含:
0.05原子%至5原子%的量的Ni;
0.10原子%至1原子%的量的La;和
0.10原子%至1.5原子%的量的Si。
3.一种用于制备根据权利要求1所述的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶的方法,所述方法包括:
制备含有0.05原子%至5原子%的量的Ni、0.10原子%至1原子%的量的La以及0.10原子%至1.5原子%的量的Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金;
在800至950℃的温度熔化所述Al-基合金,以得到所述Al-Ni-La-Si体系Al-基合金的熔体;
在6Nm3/kg以上的气体/金属比下气雾化所述Al-基合金的熔体,以将所述Al-基合金微型化;
在900至1200mm的喷射距离下将所述微型化的Al-基合金沉积在收集器上,以得到预制坯;
通过致密化方法使所述Al-基合金预制坯致密化,以得到致密体;和
将所述致密体进行塑性加工。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶包含:
0.05原子%至5原子%的量的Ni;
0.10原子%至1原子%的量的La;和
0.10原子%至1.5原子%的量的Si。
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