[发明专利]半导体激光元件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体激光元件，特别涉及具有由氮化物类半导体构 成的基板的半导体激光元件。

背景技术

在现有技术中已知有具有由氮化物构成的基板的半导体激光元 件。例如，在日本特开2003-133649号公报和日本特开2002-29897号 公报中公开有这种半导体激光元件。

在上述日本特开2003-133649号公报中公开了一种在基板上设置 有包括光波导的半导体层的半导体激光元件，该基板包括在相对于主 表面垂直的方向上延伸的位错集中区域。已知该位错集中区域与其他 部分相比其电阻较高。

另外，在上述日本特开2002-29897号公报中公开有包括在与主表 面平行的方向上延伸的线状的贯通位错的基板。

另外，已知在半导体激光元件中，存在光从半导体层的光波导向 基板侧泄漏的情况。

但是，在日本特开2003-133649号公报所公开的历来的半导体激光 元件中，在光从半导体层的光波导向基板侧泄漏的情况下，存在在垂 直横模的基板侧出现强的峰值(基板模)的问题。

发明内容

根据本发明的一个方面的半导体激光元件包括：由氮化物类半导 体构成的基板；和在基板的主表面上形成的光波导，基板包括以相对 于基板的主表面沿倾斜方向延伸的方式配置的位错集中区域，光波导 以位于位错集中区域的上方，并且位于基板的主表面中的除去出现位 错集中区域的部分的区域上的方式形成。

附图说明

图1为从[1-100]方向看的表示本发明的第一实施方式的半导体激 光元件的结构的截面图。

图2为从[1-100]方向看的用于说明第一实施方式的半导体激光元 件的基板的制造工序的截面图。

图3为从[1-100]方向看的用于说明第一实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图4为从[1-100]方向看的用于说明第一实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图5为从[1-100]方向看的用于说明第一实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图6为从[1-100]方向看的用于说明第一实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图7为表示比较例的半导体激光元件的结构的截面图。

图8为表示比较例的半导体激光元件的垂直横模的图。

图9为表示第一实施方式的激光元件的垂直横模的图。

图10为从[1-100]方向看的表示第一实施方式的半导体激光元件的 变形例的结构的截面图。

图11为从[0001]方向看的表示本发明的第二实施方式的半导体激 光元件的结构的截面图。

图12为从[0001]方向看的用于说明第二实施方式的半导体激光元 件的基板的制造工序的平面图。

图13为从[0001]方向看的用于说明第二实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图14为从[0001]方向看的用于说明第二实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图15为从[0001]方向看的用于说明第二实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图16为从[0001]方向看的用于说明第二实施方式的半导体激光元 件的制造工序的截面图。

图17为从[0001]方向看的表示第二实施方式的半导体激光元件的 变形例的结构的截面图。

图18为从[0001]方向看的用于说明第二实施方式的半导体激光元 件的变形例的基板的制造工序的平面图。

具体实施方式

以下，根据附图，对将本发明具体化的实施方式进行说明。

(第一实施方式)

首先，参照图1，对第一实施方式的半导体激光元件100的结构进 行说明。

如图1所示，第一实施方式的半导体激光元件100为发射405nm 的蓝紫色激光的激光元件，包括：基板10、半导体层20、p侧欧姆电 极29、电流阻挡(block)层30、p侧垫式(pad)电极31、n侧欧姆 电极41和n侧垫式电极42。