[发明专利]稳定硅氧烷材料的方法、稳定的硅氧烷材料和掺入该材料的器件

权利要求书

1.最小化或逆转由于暴露于紫外线辐射导致的在含硅氧烷材料中 可见光吸收种类形成的方法，所述方法包括步骤：

将所述含硅氧烷材料暴露于活性种，

其中所述活性种选自：含氧种类、卤素、原子氢、质子或它们的 组合。

2.权利要求1所述的方法，其中所述活性种包括活性氧。

3.权利要求2所述的方法，其中将所述含硅氧烷材料暴露于活性 氧的所述步骤包括：

将所述材料暴露于含氧气氛中，同时用具有200-350nm范围波长 的紫外线辐射照射所述材料。

4.权利要求3所述的方法，其中所述含氧气氛是空气。

5.权利要求1所述的方法，其中将所述含硅氧烷材料暴露于所述 活性种的所述步骤包括：

将所述材料在暴露于高能紫外线辐射之前，将所述材料暴露于所 述活性种，由此所述材料的暴露抑制了可见光吸收种类在其中的形成。

6.权利要求1所述的方法，其中将所述含硅氧烷材料暴露于所述 活性种的步骤包括：

在所述材料已经暴露于所述紫外线辐射之后，将所述材料暴露于 所述活性种，由此所述暴露至少部分地逆转可见光吸收种类在所述材 料中的形成。

7.权利要求1所述的方法，其中所述含硅氧烷材料是聚硅氧烷。

8.权利要求1所述的方法，其中所述含硅氧烷材料在250-270nm 处具有吸收峰，并且其中将所述材料暴露于所述活性种的所述步骤包 括将所述材料暴露足以降低该峰强度至少50％的时间。

9.权利要求1所述的方法，其中暴露所述含硅氧烷材料的所述步 骤包括将所述材料在空气中暴露于波长范围为250-350纳米的紫外线 辐射，所述辐射的量在1000-3000当量太阳时(ESH)范围内。

10.权利要求1所述的方法，其中将所述含硅氧烷材料暴露于所述 活性种的步骤包括：

将所述材料暴露于包含臭氧的气氛。

11.一种用于钝化意欲暴露于高强度紫外线辐射的含硅氧烷材料， 以阻止或最小化可见光吸收种类在其中形成的方法，所述方法包括步 骤：

将所述材料暴露于活性种，

其中所述活性种选自：含氧种类、卤素、原子氢、质子或它们的 组合。

12.权利要求11所述的方法，包括在所述硅氧烷材料已经暴露于 含有活性种的气氛之后，将所述硅氧烷材料涂布到基底上的进一步的 步骤。

13.权利要求11所述的方法，包括在所述硅氧烷材料暴露于含有 活性种的气氛之前，将所述硅氧烷材料涂布到基底上的进一步的步骤。

14.权利要求11所述的方法，其中所述活性种包括活性氧。