[发明专利]陶瓷致密化方法及其装置

权利要求书

1.一种陶瓷体烧结装置，该装置包括：

具有单模微波加热腔的施加器；

设在所述加热腔内的热绝缘结构；

设在所述热绝缘结构内、其微波耦合温度低于陶瓷体的基座；

放在靠近所述基座位置的陶瓷体；

磁控管；以及

温度测定装置。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述陶瓷体含有氧化锆。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述陶瓷体包括牙制品。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述牙制品包括以下一种或多种制品：贴面、嵌体、高嵌体、冠、部分冠、桥、固定桥、马里兰桥、种植基牙或牙洞种植体，和支架。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述加热腔呈管状。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述加热腔具有能在其内部产生均匀驻波而使微波振幅达到最大的构造和尺寸。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述施加器由不锈钢制成。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述热绝缘结构由氧化铝制成。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基座呈筒状，所述陶瓷体位于该筒状基座的内部。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述基座由碳化硅、V₂O₅、WO₃、BaTiO₃、AgL、CuL、碳化物或无定形碳制成。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述磁控管产生频率约2.45GHz的微波。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述磁控管与波导区相连，该波导区与所述加热腔连通。

13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述温度测定装置是高温计。

14.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括能将陶瓷体移到所述加热腔内所需位置的调节机构。

15.一种陶瓷体的烧结方法，该方法包括：

提供一种装置，其包括：具有单模微波加热腔的施加器；设在该加热腔内的热绝缘结构；设在该热绝缘结构内、微波耦合温度低于陶瓷体的基座；磁控管；以及温度测定装置；

将陶瓷体放置在靠近所述基座的位置；

将微波引入腔内以加热所述基座，所述基座通过辐射加热方式将陶瓷体加热直至达到陶瓷体的耦合温度，达到该温度后，陶瓷体在微波作用下在足够长的时间内被加热至足够高的温度，从而使陶瓷体致密化。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在陶瓷体达到所述耦合温度后，按50-150°K/分钟的速度将所述陶瓷体加热至最高温度。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述速度约为140°K/分钟。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述陶瓷体被加热至约1200-1700℃的最高温度。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷体被加热至约1400℃的最高温度。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷体在最高温度的停留时间约为20-40分钟。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷体在最高温度的停留时间约为30分钟。

22.根据权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷体以约40-150°K/分钟的速度从最高温度开始冷却。

23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷体以约50°K/分钟的速度从最高温度开始冷却。

24.根据权利要求18所述的方法，其中，所述陶瓷体按一定速度冷却至约500℃。

25.根据权利要求15所述的方法，其中，将所述陶瓷体烧结到其理论密度的至少约99％。

26.根据权利要求15所述的方法，其中，所述整个烧结过程用时不到1小时。