[发明专利]用于制作发光器件的方法有效
| 申请号： | 200810134335.7 | 申请日： | 2003-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101335321A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 康学军;吴大可;爱德华·R·佩里;袁述 | 申请（专利权）人： | 霆激科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制作 发光 器件 方法 | ||
1.一种用于制作发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：
(a)提供包括衬底(12)的晶片(10)，多个外延层(14)安装在该衬底(12)上，该多个外延层(14)包括其中能够产生光的有源区；
(b)在该多个外延层(14)的第一表面上形成至少一层第一接触，该第一表面远离该衬底(12)，该至少一层第一接触为也将成为反射层的反射材料；
(c)形成导热金属的比较厚的层(28)邻近该至少一层第一接触，该较厚的层(28)不经构图而形成，构图随后进行，其中，该较厚的层(28)至少50微米厚且为该发光器件提供热沉；以及
(d)去除该衬底(12)。
2.如权利要求1所述的方法，其中随后的构图通过下述之一来进行：光致抗蚀剂构图和随后的湿法蚀刻，以及激光束微加工。
3.如权利要求1所述的方法，其中该至少一层第一接触形成与该多个外延层(14)的第一表面的欧姆接触并且包括多个金属层。
4.如权利要求1所述的方法，其中在施加该较厚的层(28)之前，该至少一层第一接触涂布有粘结层(22)且籽层(24)形成于该粘结层(22)上。
5.如权利要求1所述的方法，其中该导热金属包括铜且该多个外延层(14)包括多个与GaN相关的层。
6.如权利要求1所述的方法，其中该多个外延层(14)是完整的直至步骤(d)之后，步骤(d)在晶片水平进行。
7.如权利要求1所述的方法，其中步骤(c)在晶片水平进行。
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