[发明专利]一种微小型光纤光谱仪狭缝的制作方法无效

专利信息
申请号: 200810134457.6 申请日: 2005-04-27
公开(公告)号: CN101327905A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 吴一辉;贾宏光;周连群;张平;鞠挥;宣明 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01J3/28
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所 代理人: 陶遵新
地址: 130033吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 微小 光纤 光谱仪 狭缝 制作方法
【权利要求书】:

1、一种微小型光纤光谱仪狭缝的制作方法,其特征在于:

a.首先对硅材料的狭缝坯体进行氧化,在狭缝坯体上形成二氧化硅层;

b.对步骤a中有二氧化硅层的狭缝坯体进行涂胶,然后在狭缝坯体上光刻形成带凹坑图形,则完成带凹坑图形和光刻胶层的狭缝坯体制作;

c.对步骤b中带图形光刻胶层的狭缝坯体用氢氟酸腐蚀未被光刻胶掩盖保护的二氧化硅层,并将上述光刻胶层去胶,则在狭缝坯体上形成带凹坑图形的二氧化硅层;

d.对步骤c中的狭缝坯体进行涂胶,在狭缝坯体上光刻形成带狭缝孔图形,则完成带狭缝孔图形和光刻胶层的狭缝坯体制作;

e.对步骤d中利用电感耦合等离子刻蚀狭缝坯体图形,得到一定深度不通透沟槽的狭缝坯体,或利用湿法腐蚀工艺制作,则完成不通透沟槽的狭缝坯体的制作;

f.对步骤e中得到的不通透沟槽的狭缝坯体去胶,则完成带有不通透沟槽、凹坑图形和二氧化硅层的狭缝坯体的制作;

g.对步骤f中不通透沟槽、凹坑图形和二氧化硅层的狭缝坯体利用电感耦合等离子进行刻蚀,从而得到凹坑和狭缝孔,则完成狭缝的制作;或利用湿法腐蚀工艺制作凹坑和狭缝孔,则完成狭缝的制作。

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