[发明专利]半导体装置的制造方法和装置、控制程序及程序存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该方法根据将光致抗蚀剂膜曝光、显影而获得的第1图案，将基板上的被蚀刻层蚀刻成规定的图案来制造半导体装置，其特征在于，

该方法包括：

有机膜成图工序，其根据上述光致抗蚀剂的第1图案使有机膜成图；

成膜工序，其在成图的上述有机膜上形成SiO₂膜；

蚀刻工序，其以使上述SiO₂膜仅残留在上述有机膜的侧壁部的方式对SiO₂膜进行蚀刻；

第2图案形成工序，其去除上述有机膜而形成上述SiO₂膜的第2图案。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，通过利用加热催化剂使成膜气体活化的化学气相生长来进行上述成膜工序。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在上述第2图案形成工序之后，将该第2图案作为掩膜来蚀刻下层的硅层、或者氮化硅层、或者氮氧化硅层、或者二氧化硅层。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将上述光致抗蚀剂的第1图案作为蚀刻掩膜来蚀刻下层的由无机材料构成的防反射膜，之后，将上述由无机材料构成的防反射膜作为蚀刻掩膜来蚀刻上述有机膜，从而进行上述有机膜成图工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，以在上述有机膜上形成有由上述无机材料构成的防反射膜的蚀刻掩膜的状态进行该有机膜的修整。

6.根据权利要求4或者5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，由上述无机材料构成的防反射膜是SOG膜、或者SiON膜、或者LTO膜和BARC的复合膜。

7.一种半导体装置的制造装置，该装置将基板上的被蚀刻层蚀刻成规定的图案来制造半导体装置，其特征在于，

该装置包括收容上述基板的处理室、向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给部件、和以在上述处理室内进行权利要求1～6中任意一项所述的半导体装置的制造方法而进行控制的控制部。

8.一种控制程序，其特征在于，该控制程序在计算机上工作，在执行时以控制半导体装置的制造装置而进行权利要求1～6中任意一项所述的半导体装置的制造方法。

9.一种程序存储介质，该程序存储介质存储有在计算机上工作的控制程序，其特征在于，上述控制程序在执行时以控制半导体装置的制造装置而进行权利要求1～6中任意一项所述的半导体装置的制造方法。