[发明专利]一种监测离子注入角度的方法

权利要求书

1.一种监测离子注入角度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供监测晶片；

步骤2、在上述监测晶片中，利用离子注入机在预定深度引入预定剂量的离子，其注入的入射角为0度；

步骤3、量测步骤2中离子注入完成的监测晶片表面被破坏程度，根据所测数值做数学计算，判断入射角度的准确性，

其中，步骤3具体包括：利用热波仪量测整面晶片，在量测值最小的地方判定为沟道中心，然后确定沟道中心沿垂直于沟道的方向到达晶片两端的两条线段；将第一条线段与第二条线段的长度值相除，而后与1相减再取绝对值，得到对称值，该对称值与入射角度的准确性成正比。

2.根据权利要求1所述的一种监测离子注入角度的方法，其特征在于，上述步骤1中的监测晶片为N型硅晶片。

3.根据权利要求2所述的一种监测离子注入角度的方法，其特征在于，上述离子为硼离子。

4.根据权利要求1所述的一种监测离子注入角度的方法，其特征在于，上述步骤2中的离子注入机的注入能量范围为50～80千电子伏，注入的硼离子的剂量范围为1E13～5E13。