[发明专利]表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810134896.7 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101645476A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 氮化 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种表面粗化的氮化镓系发光元件，包括：
衬底；
缓冲层，成长于该衬底上；
第一导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该缓冲层上；
三族氮化物半导体发光层，成长于该第一导电类型三族氮化物半导体材料层上；
第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该三族氮化物半导体发光层上；
重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层上；以及
第二第二导电类型三族氮化物半导体粗化层，成长于该重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层上。
2.如权利要求1所述的表面粗化的氮化镓系发光元件，其中该第一导电类型为n型，该第二导电类型为p型。
3.如权利要求1所述的表面粗化的氮化镓系发光元件，其中该第一导电类型为p型，该第二导电类型为n型。
4.一种表面粗化的氮化镓系发光元件的制造方法，包括：
在衬底上，成长缓冲层；
在该缓冲层上，成长第一导电类型三族氮化物半导体材料层；
在该第一导电类型三族氮化物半导体材料层上，成长三族氮化物半导体发光层；
在该三族氮化物半导体发光层上，成长第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层；
在该第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层上，成长重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层；以及
在该重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层上，成长第二第二导电类型三族氮化物半导体粗化层。
5.如权利要求4所述的表面粗化的氮化镓系发光元件的制造方法，其中该重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层，以大于1000℃的温度进行成长。
6.如权利要求4所述的表面粗化的氮化镓系发光元件的制造方法，其中该第一导电类型为n型，该第二导电类型为p型。
7.如权利要求4所述的表面粗化的氮化镓系发光元件的制造方法，其中该第一导电类型为p型，该第二导电类型为n型。
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