[发明专利]半导体制造装置、半导体制造方法及电子机器无效
| 申请号： | 200810134902.9 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101359594A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 塩谷喜美 | 申请（专利权）人： | 奈米材料研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/314;C30B25/00;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 电子 机器 | ||
1、一种半导体制造装置，其特征在于其具备：通过让反应基比其它官能团更容易被切断的状态下的反应气体，来处理制造标的为半导体晶圆的手段。
2、根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述的反应气体具有氧或碳的反应基的比率为20％～35％。
3、根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述的反应气体包含硅氧烷气体、甲基硅烷气体、或甲硅烷气体，其中，甲氧基、乙氧基、N-丙氧基或乙基的数目，是在该当各气体内的甲基的数目以下。
4、根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述的反应气体为具有OH基、甲氧基、乙氧基、N-丙氧基、或乙基的碳氢化合物气体。
5、根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述的反应气体中混合了含O2气体、CO2气体、H2O气体、N2O气体、或乙醇气体的氧化剂气体。
6、根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述的反应气体中混合了含He气体的稀释气体。
7、根据权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于其中，具备在实施前述处理的半导体晶圆上照射紫外线的手段。
8、根据权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于所述的各手段被设置于相同或不同的反应器。
9、一种半导体制造方法，其特征在于：通过让反应基比其它官能团更容易被切断的条件下的反应气体，来处理制造标的为半导体晶圆的方法。
10、一种半导体晶圆，
介电率为2.0～2.5；
杨氏模量为5～8GPa；
其特征在于其具有：通过使用让反应基比其它官能团更容易被切断的状态下的反应气体的等离子CVD所制造的低介电率膜。
11、一种半导体晶圆，
介电率为3.5～5.5；
厚度为
波长为的光，其屈光率在1.7以上；
形成于铜膜上；其特征在于其具有：通过使用让反应基比其它官能团更容易被切断的条件下的反应气体的等离子CVD，所制造的绝缘物阻隔膜。
12、一种电子机器，其特征在于其具备有：通过权利要求9所示的半导体制造方法所制造的半导体组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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