[发明专利]提供减小等离子体穿透和电弧的静电夹盘的方法和设备无效
申请号: | 200810134916.0 | 申请日: | 2008-07-31 |
公开(公告)号: | CN101425474A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 德米特里·鲁博弥尔斯克;陈兴隆;素提·贡德哈莱卡;卡泽拉·瑞玛雅·纳伦德瑞纳斯;穆罕默德·拉希德;托尼·考沙尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;C23C16/458;C23C14/50;C30B25/12 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵 飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提供 减小 等离子体 穿透 电弧 静电 方法 设备 | ||
1.一种用于重新修整静电夹盘至少一部分的方法,包括:
提供一种静电夹盘,包括:
本体,其包括通道:
板,其包括开口,所述板适于耦合到所述通道以形成充气空间;
电介质部件,其定位在所述开口中以限定来自所述充气空间的流体通道的至少一部分;
电介质层,其覆盖所述本体的至少一部分和所述板的至少一部分,以形成衬底支撑表面;以及
多孔电介质层,其覆盖所述电介质部件以形成所述流体通道的一部分;
移除所述电介质层的至少一部分以露出所述电介质部件;
从所述静电夹盘移除所述电介质部件;
用第二电介质部件更换所述电介质部件;并且
在用所述第二电介质部件更换所述电介质部件之后,用新的所述电介质层的至少一部分更换所移除的电介质层的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二电介质部件压配合到所述开口中。
3.根据权利要求1所述方法,其中,所述电介质部件或者所述第二电介质部件的至少一者包括管子。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电介质部件或者所述第二电介质部件的至少一者包括多孔塞。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述电介质部件或者所述第二电介质部件的至少一者包括陶瓷。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述陶瓷包括氧化铝。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述移除步骤包括对所述电介质部件进行钻孔。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括抛光所更换的电介质层。
9.一种静电夹盘,包括:
本体,其包括通道;
板,其包括开口,所述板适于耦合到所述通道以形成充气空间;
电介质部件,其定位在所述开口中以限定来自所述充气空间的流体通道的至少一部分;
电介质层,其覆盖所述本体的至少一部分和所述板的至少一部分,以形成衬底支撑表面;以及
多孔电介质层,其覆盖所述电介质部件以形成所述流体通道的一部分。
10.根据权利要求9所述的静电夹盘,其中,所述本体是导电的。
11.根据权利要求9所述的静电夹盘,其中,所述流体通道不形成从所述充气空间到所述衬底支撑表面的视线路径。
12.根据权利要求9所述的静电夹盘,其中,所述电介质部件是电介质管,其包括第一端、第二端和轴向通孔,其中,所述电介质管定位到所述板中的开口中。
13.根据权利要求12所述的静电夹盘,其中,所述多孔电介质层覆盖所述电介质管的所述第一端的至少一部分,并且所述轴向通孔和所述电介质层的至少一部分形成所述流体通道。
14.一种用于处理半导体衬底的设备,包括:
室,其限定处理区域;以及
根据权利要求9至13中任一项所述的静电夹盘,其用于将半导体衬底保持在所述处理区域中。
15.一种制造静电夹盘的方法,包括:
将板定位到本体的通道中以形成充气空间;
将电介质部件插入所述板中的开口中,其中,所述电介质部件限定来自所述充气空间的通路的一部分;
沉积覆盖所述本体的至少一部分和所述板的至少一部分的电介质层以形成支撑表面;
抛光所述电介质层到规定的厚度;并且
形成穿过所述电介质层和所述电介质部件的开口以限定所述支撑表面和所述充气空间之间的通路。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,沉积所述电介质层还包括:
在所述电介质部件上沉积所述电介质层,其中,所述电介质层的靠近所述电介质部件的至少一部分是多孔的;并且
还包括于将所述电介质层抛光到规定的厚度;其中,所述电介质层的靠近所述电介质部件的至少一部分和所述电介质部件的一部分限定所述支撑表面和所述充气空间之间的通路。
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