[发明专利]熔丝盒及其制造方法及修补半导体器件中该熔丝盒的方法

权利要求书

1.一种在半导体器件中的熔丝盒，包括：

熔丝线，其形成在熔丝线区域中以形成中心具有空隙的导电图案和在 所述空隙中的相变材料图案；和

绝缘图案，其形成在所述熔丝线上方以暴露出所述相变材料图案。

2.如权利要求1所述的熔丝盒，其中所述相变材料图案是碲化锗锑 (GeSbTe，GST)层。

3.如权利要求1所述的熔丝盒，其中所述导电图案是板状电极。

4.如权利要求1所述的熔丝盒，其中所述相变材料图案具有比所述导电 图案中的所述空隙更大的宽度和高度。

5.一种用于制造半导体器件中的熔丝盒的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底的熔丝线区域中形成导电图案；

选择性蚀刻所述导电图案的中心部分，以在其上形成空隙，从而形成 第一所得结构；

在包括其上具有所述空隙的所述导电图案的所述第一所得结构上方形 成相变材料，以形成第二结构；

通过图案化所述相变材料来形成相变材料图案，以填充在所述导电图 案中的所述空隙，从而形成第三所得结构；

在包括所述导电图案和所述相变材料图案的所述第三所得结构上方形 成绝缘层；以及

选择性蚀刻所述绝缘层，以形成暴露出所述相变材料图案的开口。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述导电图案是板状电极。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述相变材料图案是GST层。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述相变材料图案具有比所述导电图 案中的所述空隙更大的宽度和高度。

9.一种用于修补熔丝盒的方法，所述熔丝盒包括熔丝线和绝缘图案，所 述熔丝线形成在熔丝线区域中以形成中心具有空隙的导电图案和在所述 空隙中的相变材料图案，所述绝缘图案形成在所述熔丝线上方以暴露出所 述相变材料图案，该方法包括：

通过将激光照射在所述相变材料图案上来改变其电阻率，以确定是否 连接所述熔丝线。

10.如权利要求9所述的方法，其中当将激光照射在所述相变材料图案上 时，所述相变材料图案从非晶态转变成晶态，由此连接所述熔丝线。

11.如权利要求9所述的方法，其中当将激光照射在所述相变材料图案上 时，所述相变材料图案从晶态变成非晶态，由此切断所述熔丝线。

12.如权利要求1所述的熔丝盒，其中通过利用保护环包围所述熔丝盒来 保护所述熔丝盒。

13.如权利要求5所述的方法，其中通过利用保护环包围所述熔丝盒来保 护所述熔丝盒。

14.如权利要求9所述的方法，其中通过利用保护环包围所述熔丝盒来保 护所述熔丝盒。