[发明专利]半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的制造方法，通过在基板上生长包括含有至少包含铟和镓的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来进行制造，所述半导体激光器具有端面窗结构，所述方法包括以下步骤：

至少在形成所述端面窗结构的位置附近的所述基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及

在所述基板上没有被所述掩模覆盖的部分上生长包括所述活性层的所述氮化物型III-V族化合物半导体层

其中，在形成端面窗结构的部分中的活性层的In组分低于其它部分中的In组分。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器的制造方法，其中，在形成所述端面窗结构的所述位置附近以及在形成激光条纹的位置的一侧或两侧，在所述基板上形成所述掩模。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器的制造方法，其中，以使形成所述激光条纹的所述位置与所述掩模之间的间隔在形成所述端面窗结构的所述位置附近小于在其它区域的方式，沿着形成所述激光条纹的所述位置，在形成所述激光条纹的所述位置的一侧的所述基板上形成所述掩模。

4.根据权利要求2所述的半导体激光器的制造方法，其中，以使所述掩模中位于形成所述激光条纹的所述位置两侧的那些部分之间的间隔在形成所述端面窗结构的所述位置附近大于在其它区域的方式，沿着形成所述激光条纹的所述位置，在形成所述激光条纹的所述位置的两侧的所述基板上形成所述掩模。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器的制造方法，还包括以下步骤：

在所述基板上没有被所述掩模覆盖的所述部分上生长包括所述活性层的所述氮化物型III-V族化合物半导体层之后，用绝缘材料填充在所述掩模的上侧上所形成的凹部的至少一部分。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器的制造方法，其中，用所述绝缘材料填充所述凹部，以形成平坦的表面。

7.根据权利要求5所述的半导体激光器的制造方法，其中，所述绝缘材料包括涂覆型绝缘材料、有机材料、氧化物或氮化物。

8.一种半导体激光器，具有端面窗结构，所述半导体激光器在基板上具有包括含有至少包含铟和镓的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层，

其中，包括绝缘膜的掩模被形成在至少在对应于所述端面窗结构的部分附近的所述基板上，

包括所述活性层的所述氮化物型III-V族化合物半导体层被形成在所述基板上没有被所述掩模覆盖的部分上，以及

在形成端面窗结构的部分中的活性层的In组分低于其它部分中的In组分。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其中，形成在所述掩模的上侧的凹部的至少一部分填充有绝缘材料。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其中，所述凹部被填以所述绝缘材料，以形成平坦的表面。

11.一种光头，将半导体激光器用作或用于光源，

其中，所述半导体激光器具有在基板上具有包括含有至少包含铟和镓的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层的端面窗结构，

包括绝缘膜的掩模被形成在至少在对应于所述端面窗结构的部分附近的所述基板上，

包括所述活性层的所述氮化物型III-V族化合物半导体层被形成在所述基板上没有被所述掩模覆盖的部分上，以及在形成端面窗结构的部分中的活性层的In组分低于其它部分中的In组分。

12.一种光盘装置，将半导体激光器用作或用于光源，

其中，所述半导体激光器具有在基板上具有包括含有至少包含铟和镓的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层的端面窗结构，

包括绝缘膜的掩模被形成在至少在对应于所述端面窗结构的部分附近的所述基板上，

包括所述活性层的所述氮化物型III-V族化合物半导体层被形成在所述基板上没有被所述掩模覆盖的部分上，以及

在形成端面窗结构的部分中的活性层的In组分低于其它部分中的In组分。