[发明专利]一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法和装置

权利要求书

1.一种制备成多晶硅薄膜的方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积缓冲层；

在所述缓冲层上沉积非晶硅薄膜；

照射所述非晶硅薄膜使其到达熔点温度，融化形成一定深度的融层后停止照射，即对非晶硅薄膜进行退火；

在对非晶硅薄膜进行退火前，将所述基板加热到一定温度；或者将连续的激光脉冲与加热相结合对非晶硅薄膜进行晶化，晶化为多晶硅薄膜。

2.如权利要求1所述制备成多晶硅薄膜的方法，其中，将连续的激光脉冲与加热相结合对非晶硅薄膜进行晶化的操作，包括：

产生能量密度依次递减的多个激光脉冲照射所述非晶硅薄膜，同时，对基板采用加热方式进行加热。

3.如权利要求1所述制备多晶硅薄膜的方法，其中，所述加热方式利用红外线或加热板。

4.一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上沉积前电极并进行刻蚀；

在所述前电极上沉积非晶硅薄膜；

照射所述非晶硅薄膜使其到达熔点温度，融化形成一定深度的融层后停止照射，即对非晶硅薄膜进行退火；

在对非晶硅薄膜进行退火前，将所述基板加热到一定温度；或者将连续的激光脉冲与加热相结合对非晶硅薄膜进行晶化，晶化为多晶硅薄膜；

刻蚀所述多晶硅薄膜；

在所述多晶硅薄膜上沉积背电极；

刻蚀所述多晶硅薄膜和所述背电极；

将所述基板、所述前电极、所述多晶硅薄膜、以及所述背电极封装成太阳电池。

5.如权利要求4所述制备多晶硅薄膜太阳电池的方法，其中，将连续的激光脉冲与加热相结合对非晶硅薄膜进行晶化的操作，包括：

产生能量密度依次递减的多个激光脉冲照射所述非晶硅薄膜，同时，对基板采用加热方式进行加热。

6.一种制备多晶硅薄膜太阳电池的装置，包括：

基板，用于在其上沉积前电极；

前电极，用于在其上沉积非晶硅薄膜；

非晶硅薄膜，用于在光源产生器和控制模块的作用下，晶化成多晶硅薄膜；

光源产生器，用于照射所述非晶硅薄膜使其到达熔点温度，融化形成一定深度的融层后停止照射，即对非晶硅薄膜进行退火；

加热模块，用于在所述光源产生器对非晶硅薄膜进行退火前，将所述基板加热到一定温度，以减小所述非晶硅薄膜与基板的温度差别；

控制模块，用于将连续的激光脉冲与加热相结合对非晶硅薄膜进行晶化，以形成多晶硅薄膜；

背电极，用于沉积在经刻蚀后的所述多晶硅薄膜上；

刻蚀模块，用于刻蚀所述前电极、所述多晶硅薄膜和所述背电极；

封装模块，用于将所述基板、所述前电极、所述多晶硅薄膜、以及所述背电极封装成太阳电池。

7.如权利要求6所述制备多晶硅薄膜太阳电池的装置，其中：

所述控制模块控制所述光源产生器产生能量密度依次递减的多个激光脉冲，同时，对基板采用加热方式进行加热。