[发明专利]荧光体及其制造方法

权利要求书

1.一种荧光体，其为掺杂三价铈离子的碱土锗酸盐化合物，且 用如下通式表示：

A_m(B_1-xCe_x)_nGe_yO_z

其中A为从由Ca和Sr组成的群组中选出的至少一种元素；B 为Y；m为3、n为2、y为3、z为12；并且x的数值范围为0.001 ≤x≤0.05。

2.如权利要求1所述的荧光体，其可通过发光元件所发射的一 次辐射而激发该荧光体产生二次辐射。

3.如权利要求2所述的荧光体，其中该一次辐射的波长在 300nm～500nm的范围内，且该二次辐射的波长较该一次辐射的波 长更长。

4.如权利要求3所述的荧光体，其中该一次辐射的波长在 320nm～480nm的范围内，而该二次辐射的波长在450nm～680nm的 范围内，CIE色度坐标值(x，y)的范围为0.20≤x≤0.40，0.40≤y≤ 0.60。

5.如权利要求4所述的荧光体，其中该一次辐射的波长在 350nm～470nm的范围内，而该二次辐射的波长在480nm～510nm的 范围内，CIE色度坐标值(x，y)的范围为0.25≤x≤0.35，0.45≤y≤ 0.55。

6.如权利要求3所述的荧光体，其中该一次辐射的波长在 310nm～400nm的范围内，而该二次辐射的波长在450nm～490nm的 范围内，CIE色度坐标值(x，y)的范围为0.10≤x≤0.25，0.01≤y≤ 0.17。

7.如权利要求6所述的荧光体，其中该一次辐射的波长在 350nm～400nm的范围内，而该二次辐射的CIE色度坐标值(x，y)的 范围为0.15≤x≤0.22，0.03≤y≤0.15。

8.一种制造权利要求1至7中任一项所述荧光体的方法，包括 如下步骤：

按化学计量称取材料(A)至少一种从CaCO₃和SrCO₃中选出的 碳酸盐、(B)Y₂O₃、(C)CeO₂以及(D)GeO₂；

将所称取的材料研磨并混合均匀；

将如此获得的混合物置入氧化铝舟型坩埚中，在1200～1400℃ 下进行固态合成。

9.如权利要求8所述的方法，其中该固态合成时间为4～10小 时。

10.一种发光装置，包括发光元件和荧光体，其中该发光元件 所发射的一次辐射的波长介于300nm～500nm之间，该荧光体为权 利要求1～7中任一项的荧光体，该荧光体可吸收该一次辐射的一 部分，而发出与该一次辐射的波长相异的二次辐射。

11.如权利要求10所述的发光装置，其中该二次辐射的波长较 该一次辐射的波长更长。

12.如权利要求10所述的发光装置，其中该发光元件为半导体 光源、发光二极管、激光二极管或有机发光装置。

13.如权利要求10所述的发光装置，其中该荧光体涂布在该发 光元件的表面。

14.如权利要求10所述的发光装置，其将该荧光体封装在该发 光元件的表面。