[发明专利]具有微帽盖的元件、模组及其晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种具有微帽盖元件的晶圆级封装方法；其特征在于：步骤包括：

提供一预先形成有数个元件单元的元件晶圆，各该元件单元包括一尚未释 放的可动结构；

在该元件晶圆的正面，涂布一光阻层以作为牺牲层；

图案化该牺牲层；

再于该牺牲层上形成一帽盖结构层；

由该元件晶圆背面蚀刻以显露部分该牺牲层；及

利用光阻清洗剂移除该牺牲层，释放各该元件单元的可动结构，并在各 该元件单元的可动结构上形成一微帽盖。

2.如权利要求1所述的具有微帽盖元件的晶圆级封装方法，其特征在于：该帽盖结 构层由金属层或苯并环丁烯层所形成。

3.如权利要求1或2所述的具有微帽盖元件的晶圆级封装方法，其特征在于：通过 图案化该牺牲层以定义该微帽盖的固定柱的位置。

4.如权利要求3所述的具有微帽盖元件的晶圆级封装方法，其特征在于：该帽盖结 构层由涂布苯并环丁烯所形成，该步骤还包括图案化该帽盖结构层以定义微帽 盖的形状。

5.如权利要求3所述的具有微帽盖元件的晶圆级封装方法，其特征在于：该帽盖结 构层由电镀金属所形成，该步骤还包括于该牺牲层上先形成有晶种层，再于该 晶种层上形成电镀金属层。

6.如权利要求5所述的具有微帽盖元件的晶圆级封装方法，其特征在于：电镀金属 前，先图案化该晶种层以定义电镀金属沉积的区域。

7.如权利要求6所述的具有微帽盖元件的晶圆级封装方法，其特征在于：图案化该 晶种层后，再涂布一光阻层，并图案化该光阻层，以定义微帽盖的形状，待电 镀完成后再将该光阻层移除。

8.一种元件模组的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤包括：

提供一元件晶圆，是以权利要求1至7项的任一项所述的方法所制成；

提供一电路晶圆，该电路晶圆形成有数个对应于所述元件单元的电路单元， 并于该电路晶圆上形成具有定义图案的接合材料层；

使各该元件单元与各该电路单元对位后，利用该接合材料层接合；及

切割已接合的该元件晶圆及该电路晶圆，而形成数个元件模组。

9.如权利要求8所述的元件模组的晶圆级封装方法，其特征在于：该接合材料层形 成于该电路晶圆的正面，且切割已接合的该元件晶圆及该电路晶圆时，分别以 一较宽的刀具切割该元件晶圆及以一较窄的刀具切割该电路晶圆。

10.如权利要求8所述的元件模组的晶圆级封装方法，其特征在于：该接合材料层形 成于该电路晶圆的背面，且可用一刀具切割已接合的该元件晶圆及该电路晶圆。

11.如权利要求8所述的元件模组的晶圆级封装方法，其特征在于：该接合材料层由 苯并环丁烯所制成。

12.一种具有微帽盖的微加速度计的晶圆级封装方法，其特征在于：步骤包括：

提供一晶圆，该晶圆形成有数个尚未将可动结构释放的微加速度计预成体；

以蚀刻方式于该晶圆正面定义出各该微加速度计预成体正面结构的形状；

于该晶圆正面涂布光阻以形成一牺牲层；

图案化该牺牲层，以定义预定形成微帽盖的固定柱的位置；

于该牺牲层上形成一帽盖结构层，并图案化该帽盖结构层，以定义出数个对 应于各该微加速度计预成体的微帽盖的形状；

以蚀刻方式于该晶圆背面定义出各该微加速度计预成体背面结构的形状；

由该晶圆背面蚀刻释放所述微加速度计预成体的可动结构，并显露出部分该 牺牲层；及

利用光阻清洗剂移除该牺牲层，而形成数个微加速度计及数个位于各该微加 速度计的正面上的微帽盖。

13.如权利要求12所述的具有微帽盖的微加速度计的晶圆级封装方法，其特征在于： 该帽盖结构层由涂布苯并环丁烯所制成。

14.如权利要求12所述的具有微帽盖的微加速度计的晶圆级封装方法，其特征在于： 该帽盖结构层由电镀金属所形成。