[发明专利]具有焊接引线的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，其包括形成于其顶表面上的第一连接电极；和

第一外引线，其包括形成有第一连接孔的第一连接焊盘，

其中所述第一连接焊盘包含基础材料和形成于该基础材料顶表面上的熔融促进剂层；

其中第一连接孔与第一连接电极交叠，且在第一连接孔周围的部分中熔融部焊接到第一连接电极上，所述熔融部为所述第一连接焊盘的熔融的部分，以及

所述第一连接焊盘的熔融能力高于所述第一连接电极的熔融能力，以便防止所述第一连接电极熔融。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一连接电极的材料是在第一连接焊盘的部分开始熔融时不会熔融的材料。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一连接电极包括底层和形成在该底层上方的熔融防止层。

4.根据权利要求1的半导体器件，进一步包括凸块电极，其中第一连接孔与作为第一连接电极的替代物的凸块电极交叠，且第一连接焊盘的熔融部焊接到凸块电极上。

5.根据权利要求4的半导体器件，其中所述凸块电极的部分和第一连接焊盘的部分熔融并形成熔融部。

6.根据权利要求4的半导体器件，其中所述凸块电极包括基础材料和形成于该基础材料表面上的熔融防止层。

7.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，其包括形成于其顶表面上的第一连接电极；

第一外引线，以及

第一连接夹，所述第一连接夹包括形成有第一连接孔的第一连接焊盘，所述第一连接夹在与所述第一连接夹形成所述第一连接焊盘处相反的端处连接到所述第一外引线，

其中第一连接孔与第一连接电极交叠，且在第一连接孔周围的部分中熔融部焊接到第一连接电极上，所述熔融部为所述第一连接焊盘的熔融的部分，以及

所述第一连接焊盘的熔融能力高于所述第一连接电极的熔融能力，以便防止所述第一连接电极熔融。

8.根据权利要求7的半导体器件，其中

在所述第一连接夹中进一步形成第二连接孔；

所述第二连接孔与所述第一外引线交叠；和

在所述第二连接孔周围的部分中所述第一连接夹焊接到第一外引线上。

9.根据权利要求7的半导体器件，其中第一连接夹通过导电糊电连接至第一外引线。

10.根据权利要求1至9中任一项的半导体器件，进一步包括：

第二外引线，其包括形成了第三连接孔的第二连接焊盘，和

第三外引线，

其中所述半导体芯片包括垂直MOSFET，该垂直MOSFET包括用作源电极的第一连接电极、用作顶表面上的栅电极的第二连接电极、和形成在与顶表面相反的背面上的漏电极，

其中第三外引线电连接至漏电极，和

其中第三连接孔与第二连接电极交叠，且在第三连接孔周围的部分中第二连接焊盘的熔融部焊接到第二连接电极上。

11.根据权利要求10的半导体器件，进一步包括另一凸块电极，其中所述第三连接孔与作为所述第二连接电极的替代物的另一凸块电极交叠，且第二连接焊盘的熔融部焊接到另一凸块电极上。

12.一种半导体器件的制造方法，包括：

制备半导体芯片，其具有形成于其顶表面上的第一连接电极；

制备第一外引线，其包括形成有第一连接孔的第一连接焊盘，使得所述第一连接焊盘包含基础材料和形成于该基础材料顶表面上的熔融促进剂层；

使第一连接孔与第一连接电极交叠；和

将激光束照射到包括第一连接孔的区域上，并且在第一连接孔周围的部分中通过熔融第一连接焊盘的一部分而将第一连接焊盘焊接到第一连接电极上。