[发明专利]电子装置无效

专利信息
申请号: 200810135745.3 申请日: 2008-07-11
公开(公告)号: CN101345239A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 渡边浩志;松泽一也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L27/02;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 岳耀锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种电子装置,其特征在于,具备:

基板;

第1芯片,安装在上述基板上,形成有第1和第2端子、输入焊区以及连接到上述第1和第2端子上并以既定的寿命切断上述第1和第2端子之间的访问的半导体时限开关,上述输入焊区设定上述既定的寿命;

第2芯片,安装在上述基板上,内置有具有连接到上述第1端子上的第3端子和作为与外部的输入输出端子的第4端子的运算装置;

第1存储装置,安装在上述基板上,具有连接到上述第2端子上的第5端子,记录有为使上述运算装置工作所必需的信息;以及

封装体,至少覆盖形成了上述第1芯片的上述输入焊区的表面。

2.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:

还具备:在上述第2芯片上设置的第6端子、以及具有连接到上述第6端子上的第7端子的第2存储装置,

上述第1存储装置记录第1被加密了的序列编号,上述第2存储装置记录第2被加密了的序列编号。

3.如权利要求2中所述的电子装置,其特征在于:

上述第1和第2存储装置是只读存储器。

4.如权利要求2中所述的电子装置,其特征在于:

上述第1和第2存储装置是半导体存储器芯片。

5.如权利要求2中所述的电子装置,其特征在于:

上述第1和第2存储装置是磁记录装置。

6.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:

上述半导体时限开关包含具有浮栅的单元晶体管,包围上述浮栅的绝缘膜的最薄的部分大于等于10nm。

7.如权利要求1中所述的电子装置,其特征在于:

上述半导体时限开关包含具有电荷蓄积层的单元晶体管,包围上述电荷蓄积层的绝缘膜的最薄的部分大于等于7nm。

8.一种电子装置,其特征在于,具备:

基板;

半导体芯片,安装在上述基板上,内置有第1和第2端子、输入焊区、连接到上述第1和第2端子上并以既定的寿命切断上述第1和第2端子之间的访问的半导体时限开关、以及具有连接到上述第1端子上的第3端子和对外部发出信号的第4端子的运算装置,上述输入焊区设定上述既定的寿命;

存储装置,安装在上述基板上,具有连接到上述第2端子上的第5端子,记录有为使上述运算装置工作所必需的信息;以及

封装体,至少覆盖上述半导体芯片的上述输入焊区。

9.如权利要求8中所述的电子装置,其特征在于:

上述存储装置是只读存储器。

10.如权利要求8中所述的电子装置,其特征在于:

上述存储装置是半导体存储器芯片。

11.如权利要求8中所述的电子装置,其特征在于:

上述存储装置是磁记录装置。

12.如权利要求8中所述的电子装置,其特征在于:

上述半导体时限开关包含具有浮栅的单元晶体管,包围上述浮栅的绝缘膜的最薄的部分大于等于10nm。

13.如权利要求8中所述的电子装置,其特征在于:

上述半导体时限开关包含具有电荷蓄积层的单元晶体管,包围上述电荷蓄积层的绝缘膜的最薄的部分大于等于7nm。

14.一种电子装置,其特征在于,具备:

基板;

第1芯片,安装在上述基板上,形成有第1和第2端子、输入焊区、连接到上述第1和第2端子上并以既定的寿命切断上述第1和第2端子之间的访问的半导体时限开关、以及连接到上述第2端子上并记录有第1被加密了的序列编号的第1存储装置,上述输入焊区设定上述既定的寿命;

第2芯片,安装在上述基板上,内置有具有连接到上述第1端子上的第3端子、对外部发出信号的第4端子、和从外部接受信息的第5端子的运算装置;

第2存储装置,安装在上述基板上,具有连接到上述第5端子上的第6端子,为使上述运算装置工作记录有第2被加密了的序列编号;以及

封装体,至少覆盖上述第1芯片的上述输入焊区。

15.如权利要求14中所述的电子装置,其特征在于:

记录了信息的上述第1和第2存储装置是只读存储器。

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