[发明专利]兼备耐久性和低污染性的经阳极氧化处理铝合金

说明书

技术领域

本发明涉及铝合金，特别是涉及CVD装置、PVD装置、离子注入装置、溅射装置、干式蚀刻装置等的半导体和液晶制造装置的真空腔的构件和设于其内部的构件所使用的经阳极氧化处理铝合金。

背景技术

在CVD装置、PVD装置、离子注入装置、溅射装置、干式蚀刻装置等的半导体和液晶制造装置的真空腔的内部，由于含有卤素的腐蚀性气体作为反应气体、蚀刻气体、清洗气体被导入，因此要求其对于腐蚀性气体有耐腐蚀性(以下称为耐气体腐蚀性)。另外，在上述真空腔之中，因为多使卤系的等离子体发生，所以也重视对于等离子体的耐性(以下称为耐等离子体性)(参照特开2003-34894号公报，特开2004-225113号公报等)。另外近年来，作为这种真空腔的构件轻量而且热传导性优异，因此采用铝和铝合金。

然而，铝和铝合金不具有充分的耐气体腐蚀性及耐等离子体性，因此纷纷提出有用于使这些特性提高的表面改质技术。可是，对于这些特性来说仍不充分，因此期望进一步提高。

为了提高上述耐等离子体性，有效的是使铝和铝合金的表面形成高硬度的阳极氧化皮膜。究其原因是因为，该高硬度的阳极氧化皮膜对于等离子体的物理性的能量带来的构件的磨耗具有耐性，因此能够提高耐等离子体性(参照特开2004-225113号公报等)。

然而，仅仅在铝和铝合金的表面形成高硬义的阳极氧化皮膜，即使耐等离子体能够提高，但在高硬度的阳极氧化皮膜上仍容易发生裂纹。另外，一旦裂纹发生而贯通阳极氧化皮膜时，腐蚀性气体便会通过该贯通的裂纹(以下称为贯通裂纹)侵入，从而发生作为基材的铝和铝合金腐蚀这样的问题。

因此，就期望不仅具有高硬度，而且也具有耐久性(耐裂纹性和耐气体腐蚀性)的阳极氧化皮膜。

另外，从抑制Fe对于半导体晶片和液晶用玻璃基板等的被处理物的污染的观点出发，若减少铝合金中的Fe的含量，则确实能够形成Fe的含量少的阳极氧化皮膜。但是，这样的阳极氧化皮膜会进一步变硬，耐裂纹性和耐气体腐蚀性更加劣化。因此，在这一领域中，既要确保低污染性，又期望更强的耐久性(耐裂纹性和耐气体腐蚀性)的提高。

【专利文献1】特开2003-34894号公报

【专利文献2】特开2004-225113号公报

发明内容

本发明鉴于这一情况而做，其目的在于，提供一种即使高硬度，仍兼备耐久性和低污染性的经阳极氧化处理铝合金。

为了达成上述目的，本发明的权利要求1所述的发明，是一种具有如下铝合金和在该铝合金的表面所形成的阳极氧化皮膜的阳极氧化处理铝合金，作为合金成分，该铝合金含有Mg：0.1～2.0％(“质量％”的意思，下同。)、Si：0.1～2.0％、Mn：0.1～2.0％，Fe、Cr和Cu的各含量分别规定在0.03％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，其中，在所述阳极氧化皮膜的厚度方向上具有硬度不同的部位，硬度最大的部位和最小的部位的差以维氏硬度计为5以上。据此，即使是高硬度，也能够实现耐久性和低污染性兼备的阳极氧化处理铝合金。

权利要求2所述的发明，是在权利要求1所述的发明中具有如下特征，所述硬度最小的部位的维氏硬度为365以上。据此，耐等离子体性提高。

如上，本发明是一种具有如下铝合金和在该铝合金的表面所形成的阳极氧化皮膜的阳极氧化处理铝合金，作为合金成分，该铝合金含有Mg：0.1～2.0％(“质量％”的意思，下同。)、Si：0.1～2.0％、Mn：0.1～2.0％，Fe、Cr和Cu的各含量分别规定在0.03％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，因为在所述阳极氧化皮膜的厚度方向上具有硬度不同的部位，硬度最大的部位和最小的部位的差以维氏硬度计为5以上，所以能够提供即使为高硬度，仍兼备耐久性和低污染性的阳极氧化处理铝合金。

具体实施方式

以下，就本发明边例示实施方式边进行详细地说明。

(本发明的耐久性和低污染性兼备的经阳极氧化处理铝合金的构成)