[发明专利]发光二极管元件的封装结构及其制造方法无效
申请号: | 200810135793.2 | 申请日: | 2008-07-14 |
公开(公告)号: | CN101629705A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 曾文良;陈隆欣 | 申请(专利权)人: | 先进开发光电股份有限公司 |
主分类号: | F21V19/00 | 分类号: | F21V19/00;F21V7/04;F21V9/14;H01L33/00;G02F1/13357;F21Y101/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 元件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管元件的封装结构,包含:
一基板,具有一反射腔;
一裸片,固定于该反射腔内;
一反射层,设于该反射腔表面;
多个电极,设于该基板上相对于该反射腔的表面;以及
一反射式增光偏光膜,设于该反射腔上。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件的封装结构,其中该反射腔内设有多个焊盘,该裸片上的接点与该焊盘电性相连。
3.如权利要求2所述的发光二极管元件的封装结构,其中该裸片上的接点是以金属导线或凸块连接到该焊盘。
4.如权利要求2所述的发光二极管元件的封装结构,其另包含多个贯穿该基板的导通柱,并使该多个电极及该多个焊盘分别电性连接。
5.如权利要求1所述的发光二极管元件的封装结构,其中该基板是一导电性不佳的硅晶材料、陶瓷材料、高分子材料、玻璃或低温共烧多层陶瓷的基材。
6.如权利要求1所述的发光二极管元件的封装结构,其中该反射式增光偏光膜可将该裸片产生光线中非穿透方向的偏极光有效反射回该反射层。
7.如权利要求1所述的发光二极管元件的封装结构,其另包含一填入该反射腔内的透明绝缘材料,该反射式增光偏光膜系覆盖在该透明绝缘材料上。
8.一种发光二极管元件封装结构的制造方法,包含下列步骤:
提供一基板;
于该基板的一第一表面产生一反射腔;
形成一反射层于该反射腔表面;
于该基板的一第二表面上形成多个电极,其中该第二表面相对于该第一表面;
固定一裸片于该反射腔内;以及
覆盖一反射式增光偏光膜在该反射腔上,以此可将该裸片产生光线中非穿透方向的偏极光有效反射回该反射层。
9.如权利要求8所述的发光二极管元件封装结构的制造方法,其另包含于该反射腔内设置多个焊盘的步骤,并且另包含于该基板形成多个导通孔以及于该导通孔内设置金属导通柱的步骤,其中该焊盘通过该金属导通柱和该电极相电性连接。
10.如权利要求8所述的发光二极管元件封装结构的制造方法,其另包含于该反射腔内填入一透明绝缘材料的步骤。
11.如权利要求8所述的发光二极管元件封装结构的制造方法,其中该裸片是以粘晶方式或覆晶方式固定于该反射腔内。
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