[发明专利]形成集成电路结构的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，包括：

形成介电层；

在该介电层中形成开口；

进行第一沉积步骤以形成晶种层；以及

原处进行第一蚀刻步骤以薄化该晶种层的一较厚部分，且该第一蚀刻步 骤同时使该晶种层的一较薄部分增厚。

2.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一沉积步骤 包括同时的再溅镀。

3.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一蚀刻步骤 包括施加射频电源到射频线圈，其中该射频线圈沿着该集成电路结构正上方 的区域水平缠绕，且施加电源以诱发蚀刻。

4.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一沉积步骤 与该第一蚀刻步骤各自以直流溅镀、射频溅镀、偏压溅镀、磁控溅镀、或离 子金属电浆溅镀进行。

5.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，在该第一蚀刻步骤 后，还包括原处进行第二沉积步骤以增加该晶种层的厚度。

6.如权利要求5所述的形成集成电路结构的方法，在该第二沉积步骤 后，还包括原处进行第二蚀刻步骤以减少该晶种层的厚度。

7.如权利要求6所述的形成集成电路结构的方法，其中该第二沉积步骤 与该第二蚀刻步骤的结果造成该晶种层的底部厚度减少。

8.如权利要求6所述的形成集成电路结构的方法，其中在该第一沉积部 分、该第一蚀刻步骤、该第二沉积步骤、及该第二蚀刻步骤之后，还包括对 该晶种层的快速沉积步骤。

9.二种形成集成电路结构的方法，包括：

提供半导体基底；

在该半导体基底上形成介电层；

在该介电层中形成开口；

毯覆式形成扩散阻障层，其中该扩散阻障层延伸进入该开口；

进行沉积-蚀刻循环，包括：

进行第一沉积步骤以在该扩散阻障层上形成晶种层；以及

原处进行第一蚀刻步骤以减少该晶种层的一较厚部分的厚度，且该第一 蚀刻步骤同时使该晶种层的一较薄部分增厚；以及

进行电镀以形成金属材料于该晶种层上，其中该金属材料填充该开口。

10.如权利要求9所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一沉积步 骤使用第一电源进行以产生沉积效应，且其中该第一蚀刻步骤使用第二电源 进行以产生蚀刻效应。

11.如权利要求10所述的形成集成电路结构的方法，在该沉积-蚀刻循 环之前，还包括开启该第二电源并关闭该第一电源以在该扩散阻障层的一个 表面进行预清理。

12.如权利要求10所述的形成集成电路结构的方法，其中该蚀刻步骤包 括施加射频电源到射频线圈，其中该射频线圈沿着该半导体基底正上方的一 个区域缠绕，且施加第二射频电源到该半导体基底下方的一个静电固定盘。

13.如权利要求9所述的形成集成电路结构的方法，在该沉积-蚀刻循环 后，还包括至少一个额外的沉积-蚀刻循环，其中该至少一个额外的沉积-蚀 刻循环在该沉积-蚀刻循环原处进行。

14.如权利要求9所述的形成集成电路结构的方法，其中在该沉积-蚀刻 循环之后，且在该电镀之前，还包括进行快速沉积步骤。