[发明专利]用于形成具有底电极的相变存储器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造相变存储器件的方法，包括：

形成L形底电极，所述底电极与基底上的相应底部图案接触，并 且具有由在所述基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面，其中， 沿着所述底电极的所述上表面的所述x轴的尺度具有比用于制造所述 相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度；

形成相变图案，所述相变图案与所述底电极的所述上表面接触， 并且具有比所述底电极的所述上表面的所述x和y轴方向上的每个所 述尺度大的宽度；并且

在所述相变图案上形成上电极，

其中，所述L形表示所述底电极在所述x轴方向上的剖面L形状。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述底电极的所述上表面 的y轴方向上的尺度具有等于或者大于光刻处理的所述分辨极限的宽 度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成L形底电极包括：

在具有所述底部图案的所述基底上形成夹层绝缘层；

将所述夹层绝缘层图案化以在其中形成线形沟槽，所述线形沟槽 在所述y轴方向上延伸，并且同时暴露在所述x轴方向上相邻的两个 底部图案的部分；

依序在具有所述线形沟槽的所述基底内形成底电极层和隔离物 层；

依序回蚀所述隔离物层和所述底电极层以形成L形底电极图案和 隔离物；

在具有所述L形底电极图案和所述隔离物的所述基底内形成填充 所述线形沟槽的第一绝缘图案；

在具有所述第一绝缘图案和所述L形底电极图案的所述基底上形 成在所述x轴方向上延伸的线形掩模图案；

使用所述线形掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一绝缘图案、 所述L形底电极图案和所述夹层绝缘层，直到暴露了所述底部图案； 以及

在所蚀刻的区域内填充第二绝缘图案。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在形成在所述x轴方向上延伸的所述线形掩模图案之前，平面化 具有所述第一绝缘图案、所述L形底电极图案和所述隔离物的所述基 底，以平面化所述L形底电极图案的上表面。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成L形底电极包括：

在具有所述底部图案的所述基底上形成夹层绝缘层；

将所述夹层绝缘层图案化以在其中形成线形沟槽，所述线形沟槽 在所述y轴方向上延伸，并且同时暴露在所述x轴方向上相邻的两个 底部图案的部分；

形成底电极图案，所述底电极图案覆盖所述线形沟槽的侧壁和下 表面；

在具有所述底电极图案的所述基底内形成填充所述线形沟槽的内 部绝缘图案；

在具有所述内部绝缘图案和所述底电极图案的所述基底上形成具 有第一开口和第二开口的掩模图案，所述第一开口暴露在所述y轴方 向上的所述内部绝缘图案的中央区域，所述第二开口暴露在所述x轴 方向上的所述底部图案之间的上部区域；

使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述内部绝缘图案、所述 底电极图案和所述夹层绝缘层，直到暴露了所述底部图案；并且

在所蚀刻的区域内填充绝缘图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述底电极的所述上表 面的所述y轴方向上的所述尺度具有比光刻处理的分辨极限小的宽度。