[发明专利]硅结构及其制造方法

权利要求书

1.一种硅结构的制造方法，包括：

在硅衬底上形成衬底上结构以具有连续变化的宽度；以及

通过各向同性蚀刻，逐渐去除直接位于所述衬底上结构的下面的所述硅衬底的目标部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成衬底上结构包括：

设计所述衬底上结构以具有沿预定线形成的部分，所述预定线属于平行于所述硅衬底表面的平面；

设计所述衬底上结构以具有沿所述预定线连续变化的宽度；

在所述硅衬底上形成硅化合物膜；以及

利用各向同性蚀刻去除所述硅化合物膜的一部分以形成所述衬底上结构，从而具有在所述设计所述衬底上结构中所设计的形状，并具有沿预定线形成的部分，同时留下所述硅衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述逐渐去除包括：

对所述硅衬底及所述氧化硅膜执行所述各向同性蚀刻；

利用所述各向同性蚀刻去除与所述衬底上结构的较窄宽度部分相对应的所述目标部分以形成去除部分；

在所述衬底上结构的纵向方向上逐渐增加所述去除部分；以及

在预定时间结束所述各向同性蚀刻。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述逐渐去除还包括：

在所述各向同性蚀刻结束之后，留下与所述衬底上结构的较宽的宽度部分相对应的所述目标部分以形成用于支撑所述衬底上结构的支撑柱。

5.一种光波导的制造方法，包括：

在硅衬底上形成衬底上结构以具有连续变化的宽度；以及

通过各向同性蚀刻逐渐去除直接位于所述衬底上结构下面的所述硅衬底的目标部分；

其中，所述形成衬底上结构包括：

设计所述衬底上结构以具有沿预定线形成的部分，所述预定线属于与所述硅衬底表面平行的平面；

设计所述衬底上结构以具有沿所述预定线连续变化的宽度；

在所述硅衬底上形成硅化合物膜；以及

通过所述各向同性蚀刻去除所述硅化合物膜的一部分以形成所述衬底上结构，从而具有在所述设计所述衬底上结构中所设计的形状，并具有沿预定线形成的部分，同时留下所述硅衬底，

其中，所述形成硅化合物膜包括：

利用氧化硅膜作为所述硅化合物膜；

在所述硅衬底上形成作为下包覆层的所述氧化硅膜；

在所述下包覆层上形成具有不同于所述下包覆层的折射率的氧化硅膜作为芯；

在所述下包覆层和所述芯上形成氧化硅膜作为上包覆层以由所述上包覆层和下包覆层夹住所述芯；以及

将所述芯用作光波导。

6.一种热光移相器的制造方法，包括：

在硅衬底上形成衬底上结构以具有连续变化的宽度；以及

通过各向同性蚀刻逐渐去除直接位于所述衬底上结构下面的所述硅衬底的目标部分；

其中，所述形成衬底上结构包括：

设计所述衬底上结构以具有沿预定线形成的部分，所述预定线属于与所述硅衬底表面平行的平面；

设计所述衬底上结构以具有沿所述预定线连续变化的宽度；

在所述硅衬底上形成硅化合物膜；以及

通过所述各向同性蚀刻去除所述硅化合物膜的一部分以形成所述衬底上结构，从而具有在所述设计所述衬底上结构中所设计的形状，并具有沿预定线形成的部分，同时留下所述硅衬底，

其中，所述形成硅化合物膜包括：

利用氧化硅膜作为所述硅化合物膜；

在所述硅衬底上形成作为下包覆层的所述氧化硅膜；

在所述下包覆层上形成具有不同于所述下包覆层的折射率的氧化硅膜作为芯；

在所述下包覆层和所述芯上形成氧化硅膜作为上包覆层，以由所述上包覆层和下包覆层夹住所述芯，

将所述芯用作光波导；

在所述上包覆层上形成金属的薄膜加热器；以及

将所述薄膜加热器和所述光波导用作热光移相器。

7.一种硅结构的制造方法，包括：

在形成于硅衬底上的牺牲层上形成衬底上结构，以具有连续变化的宽度；以及

通过各向同性蚀刻逐渐去除所述牺牲层的目标部分。