[发明专利]制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件

权利要求书

1.一种电器件(100)，包括一组半导体纳米线(10)，该组包括其中的每条纳米线具有第一线径(da)的第一纳米线子组(10a)和其中的每条纳米线具有与所述第一线径(da)不同的第二线径(db)的第二纳米线子组(10b)，将所述第一子组的纳米线(10a)附着到衬底的第一部分(110a)，将所述第二子组的纳米线(10b)附着到所述衬底的除所述第一部分(110a)之外的第二部分(110b)。

2.如权利要求1所述的电器件(100)，其中将所述第一子组的纳米线(10a)电连接到导体(110a)，将所述第二子组的纳米线(10b)电连接到另一导体(110b)，所述导体(110a)与所述另一导体(110b)电绝缘。

3.如权利要求1所述的电器件(100)，其中该组半导体纳米线(10)包括形成p-n结的p掺杂部分(10p)和n掺杂部分(10n)。

4.如权利要求3所述的电器件(100)，其中将所述n掺杂部分(10n)电连接到离所述p-n结具有第一距离(ln)的第一导体(110)，将所述p掺杂部分(10p)电连接到离所述p-n结具有比所述第一距离(ln)小的第二距离(lp)的第二导体(120)。

5.如权利要求3或4所述的电器件，其中所述n掺杂部分(10n)具有大于所述p掺杂部分(10p)的线径(dp)的线径(dn)。