[发明专利]用于快闪存储器的数据写入方法、储存系统与控制器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种数据写入方法，且特别是有关于一种写入数据至多 层记忆胞(Multi Level Cell，MLC)与非(NAND)快闪存储器的数据写入方法 及使用此方法的储存系统与控制器。

背景技术

数字相机、手机相机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对 储存媒体的需求也急速增加，由于快闪存储器(Flash Memory)具有数据非 挥发性、省电、体积小与无机械结构等的特性，适合可携式应用，最适合使 用于这类可携式由电池供电的产品上。除了可携式产品内建存储器需要之外， 对于小型记忆卡与随身盘等外接式产品来说，每个人可能同时拥有多个随身 盘与小型记忆卡，所以市场规模较那些设备更大。因此，近年快闪存储器产 业成为电子产业中相当热门的一环。

随着快闪存储器由单层记忆胞(Single Level Cell，SLC)NAND快闪存 储器发展至MLC NAND快闪存储器，由于MLC NAND快闪存储器物理特性的关 系，在编程(programming)部分的页面地址(page address)时电荷较不稳定， 并且可能会影响到邻近的页面地址，因此造成MLC NAND快闪存储器虽容量较 大，但储存可靠度较差的状况。也就是说，在此次写入指令所写入的页面地 址发生编程错误时可能造成先前所写入数据的错误。此外，由于MLC NAND快 闪存储器的可储存容量越来越大以逐渐可作为一般硬盘的使用(例如固态硬 盘)的发展趋势下，数据的可靠度更成为以快闪存储器为储存媒体的固态硬 盘能否成功的关键。

为了解决上述问题，有需要发展能够增加快闪存储器存取数据可靠度的 一数据写入方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种数据写入方法，其能够在对MLC NAND快闪 存储器发生编程错误时，确保先前写入指令所写入的数据的正确性。

此外，本发明提供一种控制器，其使用上述数据写入方法来管理MLC NAND 快闪存储器，以在发生编程错误时能够确保先前写入指令所写入的数据的正 确性。

再者，本发明提供一种储存系统，其使用上述数据写入方法来管理MLC NAND快闪存储器，以在发生编程错误时能够确保先前写入指令所写入的数据 的正确性。

本发明提出一种数据写入方法，其用以写入数据至MLC NAND快闪存储器， 其中此MLC NAND快闪存储器包括多个区块，其中每一区块包括多个页面地址 且此些页面地址区分为多个上页地址与写入速度快于上页地址的多个下页地 址，此数据写入方法包括接收写入指令与此写入指令欲写入的数据，以及写 入数据至区块中，其中当欲写入的页面地址为上页地址且欲写入的页面地址 所对应的下页地址储存先前写入指令所写入的有效数据时则跳过此欲写入的 页面地址。

在本发明的一实施例中，上述的数据写入方法更包括以未储存数据的下 页地址继续写入数据。

在本发明的一实施例中，上述的写入数据至区块中的步骤包括：(1)从写 入指令中获取欲写入数据的页面地址；(2)判断此页面地址是否为区块的下页 地址，其中当此页面地址为区块的下页地址时，则进行步骤(4)，并且当此页 面地址不为区块的下页地址时，则进行步骤(3)；(3)判断对应此页面地址的 下页地址是否已储存先前写入指令所写入的有效数据，其中当对应此页面地 址的下页地址无储存先前写入指令所写入的有效数据时进行步骤(4)，并且当 对应此页面地址的下页地址已储存先前写入指令所写入的有效数据时则以此 页面地址的下一个页面地址作为欲写入数据的页面地址且返回至步骤(2)；以 及(4)写入数据至欲写入数据的此页面地址中。

在本发明的一实施例中，上述的判断此页面地址是否为区块的下页地址 的步骤包括依据页面地址查询表来判断此页面地址是否为区块的下页地址。

在本发明的一实施例中，上述的数据写入方法更包括当写入数据至此页 面地址且发生异常事件时则在重新启动后判断在区块中已写入的数据是否发 生损毁。

在本发明的一实施例中，上述的数据写入方法更包括当在区块中已写入 的数据的至少一部分发生损毁时则将未损毁的数据复制至另一区块中。