[发明专利]超声换能器上的嵌入式电路以及制造方法

权利要求书

1.一种具有形成多个元件的换能器材料、每个元件上的电极、 以及声衰减背衬材料的超声换能器，包括：

嵌入在声衰减背衬材料中的第一集成电路；

其中声衰减背衬材料包括多个切片，所述切片中的第一个具有 所述第一集成电路、以及其他切片具有其他集成电路，所述第一集 成电路和其他集成电路分别位于相应切片的孔中，使得所述第一集 成电路和其他集成电路分别在至少四侧由切片的声衰减背衬材料 包围；

其中在声衰减背衬材料中的多个轨道把第一集成电路连接到 电极，所述多个轨道对应于相应多个元件，切片的轨道从元件间距 连接成集成电路输入端间距，元件间距不同于集成电路间距；

其中所述第一集成电路包括发射波束形成器、接收波束形成 器、发射器、子阵列波束形成器、多路复用器、混合器或其组合中 的至少一部分，使得在所述第一集成电路处所输出的接收轨道的数 目少于元件的数目。

2.根据权利要求1所述的超声换能器，其中第一集成电路包 括专用集成电路。

3.根据权利要求2所述的超声换能器，其中专用集成电路包 括发射波束形成器、接收波束形成器、发射器、子阵列波束形成器、 多路复用器、混合器或其组合中的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的超声换能器，其中第一集成电路包 括可配置的集成电路，其可利用不同的元件间距和成像系统运行。

5.根据权利要求1所述的超声换能器，其中声衰减背衬材料 位于第一集成电路的第一侧与换能器材料之间，并至少邻近第一集 成电路的第二和第三侧。

6.根据权利要求5所述的超声换能器，其中声衰减背衬材料 邻近第一集成电路的第四侧，所述第四侧与所述第一侧相对，所述 第二侧与所述第三侧相对。

7.根据权利要求1所述的超声换能器，其中元件包含有在仰 角和方位上的多维布置；

其中每个切片对准在方位或仰角维度上的一行元件。

8.根据权利要求1所述的超声换能器，其中声衰减背衬材料 包含加载的环氧树脂。

9.一种用于对来自换能器背侧的能量进行声衰减的背衬，所 述背衬包括：

具有用于与换能器的背侧相接触的第一表面的背衬材料；以及

具有有源电路的半导体，所述半导体位于背衬材料内；

第一多个导体，所述第一多个导体从半导体通过背衬材料或在 所述背衬材料上延伸到第一多个传导表面，其中所述第一多个传导 表面与第一表面平行并暴露在第一表面上，所述第一多个导体从元 件间距连接成集成电路输入端间距，元件间距不同于集成电路间 距；

第二多个导体，所述第二多个导体从半导体通过背衬材料或在 所述背衬材料上延伸到与第一表面相对的第二表面，其中第二多个 导体少于第一多个导体，因为有源电路包括接收波束形成器、子阵 列波束形成器、混合器或其组合中的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的背衬，其中所述半导体包括发射波 束形成器、接收波束形成器、发射器、子阵列波束形成器、多路复 用器、混合器或其组合中的至少一部分，其中可针对不同的元件间 距和成像系统配置有源电路。

11.根据权利要求9所述的背衬，其中背衬材料位于半导体的 第一侧与第一表面之间并至少邻近半导体的第二和第三侧。

12.根据权利要求9所述的背衬，其中背衬材料包括多个切片， 所述切片中的第一个具有所述半导体，并且其他切片具有其他半导 体，多个切片中的每一个切片都具有在第一表面上以行的方式暴露 的导体，所述导体以多行的多维图样分布，其中多个轨道把每一行 的导体连接到相应的半导体。

13.根据权利要求9所述的背衬，其中背衬材料包含加载的环 氧树脂。