[发明专利]立方相钽铌酸钾钠晶体及其制备方法无效
申请号: | 200810137234.5 | 申请日: | 2008-09-28 |
公开(公告)号: | CN101372361A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 周忠祥;田浩;刘大军;宫德维;姜永远;侯春风;孙秀冬 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C01G35/00 | 分类号: | C01G35/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立方 相钽铌酸钾钠 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法,所述的立方相钽铌酸钾钠晶体的化学式为K1-yNayTa1-xNbxO3,其中0.2<x<0.42,0<y<1,其特征在于立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法按以下步骤实现:一、按摩尔比(K+Na)∶(Ta+Nb)为58∶36的比例称取K2CO3粉末、Na2CO3粉末、Ta2O5粉末和Nb2O5粉末混合,得混合粉末,研磨混合均匀,放入坩埚内;二、将坩埚置于生长炉,在室温条件下升温至900~1100℃,并保温9~11h,得钽铌酸钾钠多晶体;三、将铌酸钾钠多晶体继续升温至1200~1250℃,并保温5~10h,而后降温至1180℃;四、采用顶端籽晶助溶剂法,在籽晶杆转速为7~15r/min的条件下旋转到晶体放肩至8~15mm后,然后在提拉速度为0.4~0.6mm/h将晶体提拉至20~30mm,再将晶体提出,而后降至室温,即得立方相钽铌酸钾钠晶体,化学式为K1-yNayTa1-xNbxO3;其中步骤一中Ta∶Nb的摩尔比为0.3~1.0,步骤四助溶剂为K2CO3粉末和Na2CO3粉末。
2.根据权利要求1所述的立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法,其特征在于步骤一中K2CO3粉末、Na2CO3粉末、Ta2O5粉末和Nb2O5粉末的纯度均为99.99%。
3.根据权利要求1所述的立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法,其特征在于步骤一中坩埚为铂坩埚。
4.根据权利要求1所述的立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法,其特征在于步骤四中以15~20℃/h的速度降温至1100℃,再以20~30℃/h的速度降温至900℃,然后再以30~40℃/h的速度降温至600℃,最后以50℃/h的速度降温至室温。
5.立方相钽铌酸钾钠晶体,其特征在于立方相钽铌酸钾钠晶体的化学式为M:K1-yNayTa1-xNbxO3,其中M为过渡金属元素Fe、Cu或Mn,0.2<x<0.42,0<y<1。
6.如权利要求5所述的立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法,其特征在于立方相钽铌酸钾钠晶体的制备方法按以下步骤实现:一、按摩尔比(K+Na)∶(Ta+Nb)为58∶36的比例称取K2CO3粉末、Na2CO3粉末、Ta2O5粉末和Nb2O5粉末混合,得混合粉末,然后称取掺杂剂的量为混合粉末总重量的0.1%~2%,研磨混合均匀,放入坩埚内;二、将坩埚置于生长炉,在室温条件下升温至900~1100℃,并保温9~11h,得钽铌酸钾钠多晶体;三、将铌酸钾钠多晶体继续升温至1200~1250℃,并保温5~10h,而后降温至1180℃;四、采用顶端籽晶助溶剂法,在籽晶杆转速为7~15r/min的条件下旋转到晶体放肩至8~15mm后,然后在提拉速度为0.4~0.6mm/h将晶体提拉至20~30mm,再将晶体提出,而后降至室温,即得立方相钽铌酸钾钠晶体,化学式为M:K1-yNayTa1-xNbxO3;其中步骤一中Ta∶Nb的摩尔比为0.3~1.0;步骤一中掺杂剂为Fe2O3粉末、CuO粉末或MnO2粉末,纯度均为99.99%;步骤四助溶剂为K2CO3粉末和Na2CO3粉末。
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