[发明专利]一种深槽改良原位修复盐碱地栽植双孢菇的方法无效
申请号: | 200810137271.6 | 申请日: | 2008-10-09 |
公开(公告)号: | CN101361420A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 祖元刚;王文杰;黄路明;于兴洋;张宝友;王慧梅;许慧男;李冉;王莹;邱岭;王春丽;金铁光;李弘 | 申请(专利权)人: | 东北林业大学;祖元刚 |
主分类号: | A01B79/00 | 分类号: | A01B79/00;A01G1/04;B09C1/00;B09C1/10 |
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地址: | 150040黑龙江省哈尔*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改良 原位 修复 盐碱地 栽植 双孢菇 方法 | ||
所属技术领域:
本发明涉及玉米秸秆碎+牛粪+玉米秸秆碎的三层结构和双孢菇培养料,原位修复方法,降盐碱剂施用,主要用于改良盐碱地壤物理和化学结构。
背景技术:
农业是我国国民经济的基础,更是经济发展的基础。然而,目前我国80%以上的耕地存在干旱、低洼、盐碱等障碍因素,需要进行不同程度的调理和改良,其中,土壤盐渍化是我国面临的主要土壤问题之一。我国有超过2000万公顷的盐荒地和670万公顷盐渍化土壤地。盐碱土壤是指土壤中含有钾、钠、钙、镁的氯化物、硫酸盐、重碳酸盐等有害盐类;或者是土壤含盐量虽少,但土壤交换性钠占阳离子交换量达到了一定比例。主要特征pH值较高,含有有害盐分。
现今对盐碱地的治理的方法都能一定程度的改良盐碱地但不能永久性改变盐碱地的物理和化学结构,并且有造价高,成本不易快速收回等缺点。
发明内容:
本专利的目的在于通过玉米秸秆碎+牛粪+玉米秸秆碎的三层结构、双孢菇培养料的填充和对土壤进行植物修复将盐碱地土壤结构完全修复,并永久性还原,并在已改良的盐碱地栽植双孢菇。
为了达到上述目的,本专利采用的技术方案包括:
首先进行双孢菇培养料的调制,同时在盐碱地上进行深槽带状整地。深槽四壁竖直铺上玉米秸秆帐。在槽底部铺垫一层玉米秸秆、一层牛粪、一层玉米秸秆,再加一层淋溶土,其上再加同等量的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土至地表,浇灌降盐碱剂0.3~0.5L/m2。待双孢菇培养料调制完毕后,将蘑菇培养料施于浇灌降盐碱剂的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土的四层结构上。按照深槽尺寸建立塑料大棚,在其上铺上玉米秸秆帐,其上再铺一层遮光布。在相邻的槽间建立排水沟,槽边设有蓄水池。最后在培养料上播撒菌种栽植双孢菇,控制温度和湿度培养20-30天,覆土,进行正常采菇管理。
双孢菇培养料调制的原料为玉米秸秆和牛粪,配方为:玉米秸秆与牛粪的比例为6:4,辅料尿素为培养料总重的0.75%,石灰、石膏和过磷酸钙均为1%。
盐碱地上进行深槽带状整地,长25m,宽1m,深度为60cm。
深槽四壁竖直铺上5cm厚、100cm高的秸秆,即秸秆高出槽口40cm。
在槽底部铺垫一层厚度为7cm的玉米秸秆,其上续施一层厚度为6cm的牛粪,其上再续施一层厚度为7cm的玉米秸秆,加10cm盐碱地淋溶土,同上再加同等量的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+盐碱土至地表,缓冲带厚度为60cm。
将蘑菇培养料施于浇灌降盐碱剂的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土的四层结构上,厚度为20cm。
在填满双孢菇培养料的深槽上建立塑料大棚,长2m,高1.5m,跨度为1m。在其上铺上2层玉米秸秆帐,单层厚度为5cm,其上再铺一层遮光布。
排水沟在每两个相邻的种植槽之间建立,紧贴着秸秆高出地表的部分将秸秆横放,堆成斜坡,其上铺上碱土,碱土斜坡高出地面30cm即可。即碱土斜坡最高点比玉米秸秆帐顶端低10cm。排水沟底部垫一层秸秆并在上面铺上碱土。
在培养料上播撒菌种栽植双孢菇后,培养前3天(空气湿度>85%,20℃<温度<28℃)、之后至17天(空气湿度80%,温度同上),之后至20天(空气湿度50-60%,温度同上),覆土原料为15cm以下的农田壤土、盐碱地淋溶土分别过筛,二者比例为20:1并充分混匀备用。覆土厚度为2.5-3cm,用前按照干稻壳500g/m2与上述备用土壤混匀。
本发明的优点是:
1、本发明集成现有技术的优点,可以永久性改良盐碱地的物理化学结构,使盐碱地改良彻底。
2、土壤改良效果显著,经济回报较快,操作简单,易于普及。
3、不仅解决了牛粪与秸秆的处理问题,而且双孢菇的种植产生很高的经济价值,在广大农村地区巨大的推广意义。
具体实施方式:
下面,本发明将用实施例进行进一步的说明(如图),但是它并不限于这些实施例的任一个或类似实例。
蘑菇培养料的发酵:
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