[发明专利]缓蚀性阴离子插层水滑石/氧化物复合材料制备及应用无效
申请号: | 200810137582.2 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101418154A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 王君;何洋;于湘;李丹丹;景晓燕;张密林 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | C09D7/12 | 分类号: | C09D7/12;C09D163/00;C09D5/08;C23F11/18 |
代理公司: | 哈尔滨市船大专利事务所 | 代理人: | 张贵丰 |
地址: | 150001黑龙江省哈*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 缓蚀性 阴离子 插层水 滑石 氧化物 复合材料 制备 应用 | ||
1、一种缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料,其特征是:其化学组成为MaOb/[M2+1-xM3+x(OH)2]x+(A)n-x/n·mH2O;其中M2+代表+2价金属离子,是Mg2+、Zn2+、Ni2+、Ce2+或Fe2+;M3+代表+3价金属离子,是Al3+、Cr3+、Ce3+、Fe3+或Ti3+;An-为具有缓释效果的阴离子,是钒酸盐、钼酸盐、钨酸盐、铬酸盐或磷钼酸盐;MaOb代表+2价和+3价金属离子的氧化物,以+2价金属离子的氧化物为主。
2、根据权利要求1所述的缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料,其特征是:所述的MaOb代表+2价和+3价金属离子的氧化物的金属离子是Mg2+、Zn2+、Ni2+或Fe3+。
3、一种缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料的制备方法,其特征是:
室温下,按照M2+/M3+摩尔比为2.2~3.5的比例分别称取+2价金属离子和+3价金属离子的可溶性硝酸盐,配制成300mL硝酸盐水溶液,其中M2+为Mg2+、Zn2+、Ni2+、Ce2+、Fe2+中的一种,M3+为Al3+、Cr3+、Ce3+、Fe3+、Ti3+中的一种,以钒酸盐、钼酸盐、钨酸盐、铬酸盐、磷钼酸盐中的一种为插层阴离子的钠盐,NaOH配成溶液;
先将插层阴离子的钠盐溶液置于容器中,调节溶液的pH值,再将硝酸盐水溶液和NaOH溶液同时逐滴等速加入到容器中,控制悬浮液的pH值范围为10.5~11.5,滴加完毕后,在N2保护下继续恒温反应10h,然后于室温下放置12h,过滤,除CO2蒸馏水洗涤滤饼至中性得到前驱体,前驱体在80℃烘箱中干燥,研磨。
4、根据权利要求3所述的缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料的制备方法,其特征是:在将前驱体在80℃烘箱中干燥步骤之前,先将前驱体在马弗炉中焙烧2~3h,焙烧温度450~720℃,焙烧后浸于除CO2的蒸馏水,同时逐滴等速滴加插层阴离子的钠盐溶液和碱溶液,在N2保护下反应4-10h,满足An+/M3+摩尔比为0.8~1.5,pH范围为8.5~9.5,过滤,除CO2蒸馏水洗涤滤饼至中性。
5、根据权利要求4所述的缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料的制备方法,其特征是:所述的碱溶液是氨水。
6、一种缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料的应用,其特征是:缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料按5%-35%的质量分数添加于环氧树脂中制成用于钢铁、铝合金及镁合金的腐蚀防护涂层涂料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学,未经哈尔滨工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810137582.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:图片显示装置及其图片显示方法
- 下一篇:充电电路及其误差补偿方法