[发明专利]低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810137597.9 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101417880A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张幸红;韩杰才;孟松鹤;徐林;韩文波;胡平 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 硼化物基 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1、低温烧结硼化物基陶瓷材料，其特征在于硼化物基陶瓷材料按体积百分比由60％～94％的硼化物粉末、5％～30％的碳化硅粉末和1％～10％的添加剂制成，其中添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末，氧化铝粉末和氧化钇粉末的摩尔比为5:3。
2、根据权利要求1所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料，其特征在于硼化物粉末为硼化锆粉末或硼化铪粉末。
3、根据权利要求1所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料，其特征在于硼化物粉末的粒径为2～10μm。
4、根据权利要求1所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料，其特征在于碳化硅粉末为碳化硅晶须、碳化硅颗粒或碳化硅晶板。
5、根据权利要求1所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料，其特征在于氧化铝粉末粒径为0.5～2μm，氧化钇粉末粒径为0.5～2μm。
6、低温烧结硼化物基陶瓷材料的制备方法，其特征在于低温烧结硼化物基陶瓷材料的制备方法是由下述步骤实现的：一、按体积百分比将60％～94％的硼化物粉末、5％～30％的碳化硅粉末和1％～10％的添加剂混合，其中添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末，氧化铝粉末和氧化钇粉末的摩尔比为5:3；二、将步骤一的混合粉末放入无水乙醇中进行超声波清洗分散，然后球磨混合5～10h，再烘干；三、将经步骤二处理的混合物置于烧结炉中，在1800～1850℃、热压压力为30MPa、真空或惰性气体气氛下，保温30～60min，然后随炉冷却至室温后取出，即得到硼化物基陶瓷基复合材料。
7、根据权利要求6所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料的制备方法，其特征在于步骤一中硼化物粉末为硼化锆粉末或硼化铪粉末。
8、根据权利要求6所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料的制备方法，其特征在于步骤一中硼化物粉末的粒径为2～10μm。
9、根据权利要求6所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料的制备方法，其特征在于步骤一中碳化硅粉末为碳化硅晶须、碳化硅颗粒或碳化硅晶板。
10、根据权利要求6所述的低温烧结硼化物基陶瓷材料的制备方法，其特征在于步骤三中惰性气体为氩气。
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