[发明专利]增进闸极驱动集成电路判断准位的架构

说明书

技术领域

本发明公开了一种判断准位的架构，特别是关于一种能精确判断闸极驱动 集成电路电压准位的架构。

背景技术

液晶显示器的显像原理是驱动集成电路(Integrated Circuit，IC)接收控 制集成电路的指令，输出各像素(Pixel)所需要的电压以控制液晶达成显像的 目的。液晶显示器的驱动集成电路包括横向的源极驱动集成电路(Source Driver IC)以及纵向的闸极驱动集成电路(Gate Driver IC)。其中源极驱动集 成电路控制数据的输入，闸极驱动集成电路则是控制晶体管的开或关。由于闸 极驱动集成电路是控制晶体管的开或关，因此判断高低准位的正确性与否显得 十分重要，目前闸极驱动集成电路的接收端为TTL(Transistor Transistor Logic)传输接口，传统的操作电压(DVDD)为2.4伏特至3.6伏特。当接收端接 收到大于0.7倍的DVDD时，会判断为高准位，当接收端收到小于0.3倍的DVDD 时，则会判断为低准位。

然而，在不同情况下，接收端接收到的信号如闸极驱动集成电路的控制信 号、数字电源信号或地信号(GND)，会受到其它源极模拟信号的干扰，引发耦 合效应，导致电压的拉抬(Lift)或下降(Drop)。尤其是在高负载的情况下，耦 合的效应越显着，造成传统TTL接收端判断准位的错误。附图1为一实施例在 高负载的情况下，最后一颗闸极驱动集成电路控制信号以及电源信号的波形 图，X轴显示时间，Y轴显示电压大小，图中包括YCLK、YOE控制信号以及VCC、 GND电源信号，其中YOE以及GND信号圈选处即为低准位被拉抬的情形。

SSTL2(Stub Series Terminated Logic 2)传输接口为低电压的标准接口， 其电压摆幅(Voltage Swing)最小可操作在一参考电压±150毫伏特(mV)之间， 而互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS) 的TTL模式在判断准位的电压摆幅为小于0.3倍DVDD以及大于0.7倍DVDD， 两者相比，SSTL2传输接口最小操作电压远小于TTL模式，因此只要适度地调 整参考电压，即可敏锐的判断高低准位。

因此，现有闸极驱动集成电路的TTL模式有改进的必要。

发明内容

为解决上述传统TTL模式准位判断上的问题，本发明的目的在于提供一种 增进闸极驱动集成电路判断准位的架构，藉由使用SSTL2接收接口，适当调整 一参考电压信号，可以解决准位判断上的问题。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：在闸极驱动集成电路的至少 一接收端使用SSTL2接收接口，输入一参考电压信号至该接收端，作为闸极驱 动集成电路判断至少一控制信号准位的标准。

与现有技术相比，本发明之增进闸极驱动集成电路判断准位的架构，由于 最小电压摆幅可操作在参考电压±150毫伏特之间，因此只要适度地调整参考 电压，即可敏锐的判断高低准位，解决传统使用TTL模式例如耦合效应造成准 位判断错误的问题。

以下结合附图与实施例对本发明做进一步的说明。

附图说明

图1为一实施例在高负载的情况下，最后一颗闸极驱动集成电路控制信号 以及电源信号的波形图。

图2为本发明之增进闸极驱动集成电路判断准位的架构图。

图3为信号传送至第一闸极驱动集成电路的一实施例。

图4a为DVDD完整电压摆幅与参考电压信号V_ref的示意图。

图4b为DVDD完整电压摆幅小于3.3伏特与参考电压信号V_ref的示意图。

附图5为标准SSTL2传输接口的操作电压范围。

附图6a为SSTL2接口可判断的最小电压范围。

附图6b为传统TTL架构可判断的最小电压范围。

具体实施方式

有关本发明的详细说明及技术内容，现就结合附图说明如下。以下实施例 的说明是参考附加的图示，用于例示本发明可用于实施的特定实施例。