[发明专利]时效装置

权利要求书

1.一种时效装置，其特征在于包括：

半导体衬底、

被形成在上述半导体衬底的表面区域上的元件分离绝缘层、

由上述元件分离绝缘层所包围的第1元件区域、

被形成在上述第1元件区域内的第1及第2扩散层、

被形成在上述第1及第2扩散层间的沟道区域上方的浮栅、以及

相对于上述浮栅在横方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极，

其中，上述浮栅与上述控制栅电极的耦合电容大于上述浮栅与上述半导体衬底的耦合电容。

2.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

上述浮栅在第1方向上跨越上述第1元件区域而配置，上述浮栅的与上述第1方向正交的第2方向的宽度，在与上述控制栅电极邻接的部分上比在上述第1元件区域上更宽。

3.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

上述浮栅以及上述控制栅电极在两者相对置的部分具有凹凸。

4.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

具有比上述浮栅与上述半导体衬底之间的物质或空间更高的介电常数的物质或空间被形成在上述浮栅与上述控制栅电极之间。

5.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

上述控制栅电极被形成在由上述元件分离绝缘层所包围的第2元件区域上，上述浮栅也被形成在上述第1及第2元件区域间的元件分离绝缘层上。

6.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

上述浮栅与上述控制栅电极相对置的部分的面积比上述第1元件区域与上述浮栅相对置的部分的面积更大。

7.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

高介电常数材料被形成在上述浮栅与上述控制栅电极之间。

8.按照权利要求7所述的时效装置，其特征在于：

上述高介电常数材料被氧化膜、氮化膜以及氧氮化膜中的一种膜夹持。

9.按照权利要求1所述的时效装置，其特征在于：

上述第1扩散层被连接到非易失性半导体存储器，上述第2扩散层被连接到读出装置。

10.按照权利要求9所述的时效装置，其特征在于：

上述非易失性半导体存储器由单层多晶硅型的存储器单元构成。

11.一种时效装置，其特征在于包括：

半导体衬底、

被形成在上述半导体衬底的表面区域上的元件分离绝缘层、

由上述元件分离绝缘层所包围的元件区域、

在上述元件区域内沿第1方向并排形成的第1及第2扩散层、

被形成在上述第1及第2扩散层间的沟道区域上方的浮栅、以及

相对于上述浮栅在与上述第1方向正交的第2方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极，

其中上述浮栅与上述控制栅电极的耦合电容大于上述浮栅与上述半导体衬底的耦合电容。

12.按照权利要求11所述的时效装置，其特征在于：

上述浮栅在上述第1方向上跨越上述第1元件区域而配置，上述浮栅的上述第2方向的宽度，在与上述控制栅电极邻接的部分上比在上述第1元件区域上更宽。

13.按照权利要求11所述的时效装置，其特征在于：

上述浮栅以及上述控制栅电极在两者相对置的部分具有凹凸。

14.按照权利要求11所述的时效装置，其特征在于：

具有比上述浮栅与上述半导体衬底之间的物质或空间更高的介电常数的物质或空间被形成在上述浮栅与上述控制栅电极之间。

15.按照权利要求11所述的时效装置，其特征在于：

上述控制栅电极被形成在上述元件分离绝缘层上，上述浮栅也被形成在上述元件分离绝缘层上。

16.按照权利要求11所述的时效装置，其特征在于：

上述浮栅与上述控制栅电极相对置的部分的面积比上述元件区域与上述浮栅相对置的部分的面积更大。

17.按照权利要求11所述的时效装置，其特征在于：

高介电常数材料被形成在上述浮栅与上述控制栅电极之间。