[发明专利]电铸液配方及电铸液制备方法及电铸液的工艺控制条件无效

专利信息
申请号: 200810141611.2 申请日: 2008-07-14
公开(公告)号: CN101629310A 公开(公告)日: 2010-01-20
发明(设计)人: 郑渠官;黎兴汉 申请(专利权)人: 深圳市百泰珠宝首饰有限公司
主分类号: C25D1/00 分类号: C25D1/00;C25D3/48
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 郭伟刚
地址: 518000广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电铸 配方 制备 方法 工艺 控制 条件
【说明书】:

技术领域

发明涉及电镀领域,更具体地说,涉及一种用于电铸高硬度千足黄金首饰的BT48电铸液的配方及该电铸液制备方法及该电铸液的电铸工艺控制条件。

背景技术

黄金饰品尤其是千足黄金饰品在国内外深受消费者的青睐,现有的千足黄金饰品有的是由千足金箔用模具冲压后再焊接而成,有的是用BT48硬金电铸液通过电铸加工而成,现有的加工方法都存在一些不足:用模具冲压后再焊接的千足黄金饰品的硬度太软,表面不够光滑,还需要制造冲压模具和焊机,初次投资大,并且有些复杂的千足黄金饰品是无法冲压的;而现有的电铸千足黄金饰品由于电铸液配制、电铸液的制备方法和电铸液电铸工艺控制条件使得电铸出来的千足黄金饰品如果产品厚度不大则硬度不够,如果产品厚度较大,则需要使用较多的黄金,使得消费者的增加许多支出。

发明内容

本发明要解决的第一技术问题在于,针对现有技术的上述由于现有的电铸液带来的电铸出来的千足黄金饰品如果产品厚度不大则硬度不够,如果产品厚度较大,则需要使用较多的黄金的缺陷,提供一种可以减小电铸所得产品的厚度而硬度足够的电铸液。

本发明解决第一技术问题所采用的技术方案是:配制一种电铸液,所述电铸液为氰化亚金钾、开缸盐和附加剂的水溶液,所述开缸盐包括柠檬酸钾、酒石酸钠钾、乙二胺四乙酸二钠、硼酸和增硬剂,所述附加剂为平滑剂,所述电铸液包括下述成分:

氰化亚金钾g/L        20~30

柠檬酸钾g/L          50~70

酒石酸钠钾g/L        5~20

乙二胺四乙酸二钠g/L  10~20

硼酸g/L              10~20

增硬剂g/L            10~20

平滑剂g/L            0.5~5。

在本发明所述的电铸液中,所述电铸液还包括调节所述电铸液PH值的氢氧化钾。

本发明要解决的第二技术问题在于,针对现有技术的上述由于电铸液制备方法带来的电铸出来的千足黄金饰品如果产品厚度不大则硬度不够,如果产品厚度较大,则需要使用较多的黄金的缺陷,提供一种可以减小电铸所得产品的厚度而硬度足够的电铸液制备方法。

在本发明所述的电铸液制备方法中,所述制备方法包括下述步骤:所述步骤S1中开缸盐包括:柠檬酸钾、酒石酸钠钾、乙二胺四乙酸二钠、硼酸和增硬剂;所述附加剂为平滑剂。

步骤S1、把开缸盐、附加剂按量溶于去离子纯水得到水溶液;

步骤S2、在所述水溶液按量添加氰化亚金钾;

步骤S3、用定量去离子纯水将含氰化亚金钾的水溶液溶解成电铸液。

在本发明所述的电铸液制备方法中,所述步骤S1中开缸盐包括:柠檬酸钾、酒石酸钠钾、乙二胺四乙酸二钠、硼酸和增硬剂;所述附加剂为平滑剂。

在本发明所述的电铸液制备方法中,所述步骤S1中把开缸盐、附加剂按量溶于去离子纯水得到水溶液是把开缸盐、平滑剂按量溶于去离子纯水得到水溶液。

在本发明所述的电铸液制备方法中,所述把开缸盐、平滑剂按量包括:

柠檬酸钾g/L              50~70

酒石酸钠钾g/L            5~20

乙二胺四乙酸二钠g/L      10~20

硼酸g/L      10~20

增硬剂g/L    10~20

平滑剂g/L    0.5~5。

本发明要解决的第三技术问题在于,针对现有技术的上述由于电铸液的电铸工艺控制条件带来的电铸出来的千足黄金饰品如果产品厚度不大则硬度不够,如果产品厚度较大,则需要使用较多的黄金的缺陷,提供一种可以减小电铸所得产品的厚度而硬度足够的电铸液的电铸工艺控制条件。

在本发明所述的电铸液的电铸工艺控制条件中,所述电铸液中金含量控制为15~20g/L,电铸液的密度控制为15~25波美度,电铸液温度控制为40~44℃,电铸液PH值控制为9.6~10.6,阴极电流密度控制为0.1~0.3A/dm2

在本发明所述的电铸液的电铸工艺控制条件中,所述电铸液中金含量控制为在每升电铸液中加入22~29.3克氰化亚金钾。

在本发明所述的电铸液的电铸工艺控制条件中,所述电铸液中金含量控制为17~18g/L,电铸液的密度控制为15~20波美度,电铸液温度控制为42℃,电铸液PH值控制为9.8~10,阴极电流密度控制为0.1~0.2A/dm2

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