[发明专利]空心热源的制备方法有效
申请号: | 200810142522.X | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101636009A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 冯辰;刘锴;王鼎;姜开利;刘长洪;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H05B3/40 | 分类号: | H05B3/40;H05B3/48;H05B3/54;H05B3/14 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 空心 热源 制备 方法 | ||
1.一种空心热源的制备方法,其具体包括以下步骤:
提供一空心基底;
制备一碳纳米管结构,该碳纳米管结构由多个碳纳米管组成,且该多个碳纳 米管中相邻的碳纳米管之间通过范德华力相连;
将该碳纳米管结构设置于所述空心基底的表面;以及
间隔形成两个电极,该两个电极与该碳纳米管结构形成电连接,形成一空心 热源。
2.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述将碳纳米管结 构设置于所述空心基底表面的方法为:将碳纳米管结构粘附于所述空心基底 表面。
3.如权利要求2所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述将碳纳米管结 构粘附于所述空心基底表面的方法为:通过碳纳米管结构自身的粘性或粘结 剂将该碳纳米管结构粘附于所述空心基底表面。
4.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述的电极设置在 碳纳米管结构的同一表面或不同表面。
5.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述电极为导电膜, 该导电膜通过物理气相沉积法或化学气相沉积法形成于该碳纳米管结构表 面。
6.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述电极为金属片 或金属引线,并通过导电粘结剂将该电极固定于碳纳米管结构表面。
7.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,进一步包括形成一 反射层于碳纳米管结构的外围的步骤,该反射层的材料为金属氧化物、金属 盐或陶瓷。
8.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,进一步包括一形成 一绝缘保护层于所述碳纳米管结构的表面的步骤,所述绝缘保护层材料为橡 胶或树脂。
9.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结 构包括至少一个碳纳米管有序膜,所述碳纳米管有序膜的制备方法具体包括 以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;从上述碳纳米管阵列中选定 多个碳纳米管;以及以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该 多个碳纳米管,形成至少一碳纳米管有序膜。
10.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述制备一碳纳米 管结构的方法进一步包括一将至少两个碳纳米管有序膜平行无间隙或/和重 叠铺设得到一碳纳米管结构的步骤。
11.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结 构包括至少一个碳纳米管长线,且碳纳米管长线包括多个碳纳米管沿碳纳米 管长线的轴向/长度方向择优取向排列。
12.如权利要求11所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管长 线的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;从上述碳 纳米管阵列中选取一定宽度的多个碳纳米管,以及采用一拉伸工具从碳纳米 管阵列中直接拉取该多个碳纳米管,以形成至少一碳纳米管有序膜;经过有 机溶剂处理后获得碳纳米管长线。
13.如权利要求11所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管长 线的制备方法包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;从上述碳 纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管;以一定速度沿基本垂直于碳纳 米管阵列生长方向拉伸该多个碳纳米管,以形成至少一碳纳米管有序膜;以 及采用一机械外力将该碳纳米管有序膜扭转形成碳纳米管长线。
14.如权利要求1所述的空心热源的制备方法,其特征在于,所述的碳纳米管结 构包括碳纳米管碾压膜,所述的碳纳米管碾压膜的制备方法包括以下步骤: 提供一碳纳米管阵列形成于一基底;以及采用一施压装置,挤压上述碳纳米 管阵列获得一碳纳米管碾压膜。
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