[发明专利]半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备有效

专利信息
申请号: 200810142810.5 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101312169A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 柳瀬康行;冈山芳央;柴田清司;井上恭典;水原秀树;臼井良辅;山本哲也;吉井益良男 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 制造 方法 以及 便携式 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体模块,其特征在于,包括:

在表面具有电极的基板;

在所述基板上设置的绝缘层;

在所述绝缘层上设置的布线层;以及

与所述布线层一体地设置且从所述布线层突出进而贯通所述绝缘层与 所述电极电连接的突起部;

所述布线层具有设置所述突起部的第一区域和与该第一区域连接并延 伸的第二区域,相比于所述第一区域中的所述布线层,所述第二区域中的所 述布线层更向所述基板侧凹陷形成;

设置有多个所述突起部,并且位于所述突起部间的所述绝缘层形成为具 有凹形的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体模块,其特征在于,在与设置有所述 突起部的面相反侧的面的所述布线层上,在与所述突起部不重叠的位置具有 与所述布线层一体的凸状的接线柱部。

3.根据权利要求2所述的半导体模块,其特征在于,在所述布线层的 与设置有所述突起部的面相反的一侧面形成有另一突起部,该另一突起部对 应于与所述电极的位置不同的位置而突出。

4.根据权利要求3所述的半导体模块,其特征在于,所述另一突起部 设置在与所述突起部相反侧的所述布线层的端部。

5.根据权利要求4所述的半导体模块,其特征在于,所述另一突起部 的高度比所述突起部的高度低。

6.根据权利要求4所述的半导体模块,其特征在于,所述另一突起部 以未与所述基板电连接的状态被所述基板支持。

7.根据权利要求5所述的半导体模块,其特征在于,所述另一突起部 以未与所述基板电连接的状态被所述基板支持。

8.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,包括:

第一工序,制备在表面具有多个电极的半导体基板;

第二工序,在金属板上设置分离沟,以便形成对应于所述电极的位置突 出设置的突起部;

第三工序,通过经由绝缘层压接所述金属板和所述半导体基板,并且使 所述突起部贯通所述绝缘层,在电连接所述突起部和所述电极的同时,使在 所述突起部间设置的所述金属板,通过使所述绝缘层冷却并膜收缩而以凹状 向所述半导体基板侧弯曲;

第四工序,对所述金属板进行构图并形成由规定图案构成的布线层。

9.根据权利要求8所述的半导体模块的制造方法,其特征在于,在所 述第二工序,在与设置有所述突起部的面相反侧的面的所述布线层上,在与 所述突起部不重叠的位置还形成与所述金属板一体的凸状的接线柱部。

10.根据权利要求8或9所述的半导体模块的制造方法,其特征在于, 在所述第二工序,在所述金属板的与设置有所述突起部的面相反侧的面设置 另一突起部,该另一突起部对应于与所述电极的位置不同位置而突出。

11.一种半导体模块的制造方法,其特征在于,包括:

第一工序,制备在表面上具有多个电极的半导体基板;

第二工序,在金属板上设置分离沟,以便形成对应于所述电极的位置突 出而设置的突起部;

第三工序,在与设置有所述突起部的面相反侧的所述金属板的面对布线 图案进行半蚀刻;

第四工序,通过经由绝缘层压接所述金属板和所述半导体基板,并且使 所述突起部贯通所述绝缘层,在电连接所述突起部和所述电极的同时,使在 所述突起部间设置的所述金属板,通过使所述绝缘层冷却并膜收缩而以凹状 向所述半导体基板侧弯曲;

第五工序,对与设置有所述突起部的面相反侧的所述金属板的面进行蚀 刻并形成由规定图案构成的布线层。

12.一种便携式设备,其特征在于,具有权利要求1~7中任一项所述 的半导体模块。

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