[发明专利]近场光发生装置和方法以及信息记录和再现装置有效
申请号: | 200810142820.9 | 申请日: | 2008-02-04 |
公开(公告)号: | CN101312043A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 本乡一泰;渡边哲 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B5/00 | 分类号: | G11B5/00;G11B5/02;G11B11/105 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 近场 发生 装置 方法 以及 信息 记录 再现 | ||
1.一种近场光发生装置,包括:
导电散射器,基于通过入射光的照射产生的表面等离子振子来产生近场光;以及
导电体,设置在该导电散射器附近,并且通过入射光的照射以及受到该导电散射器的表面等离子振子的影响而产生表面等离子振子,其中
该导电体的该表面等离子振子的振荡方向大致平行于该导电散射器的表面等离子振子的振荡方向,并且其中
该导电体的表面等离子振子的发生区域位于偏离在该导电散射器的表面等离子振子的振荡方向上延伸的区域的位置。
2.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
该导电散射器和该导电体设置在光学透明基板的一侧的表面上,并且该入射光透过该基板而照射到该导电散射器和该导电体。
3.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
该导电体包括边缘部分,该边缘部分相对于该照射的入射光的偏振方向形成不超过45°的角度。
4.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
当该导电散射器在平行于该入射光的偏振方向上的长度是l,而该导电体的相对着该导电散射器的表面在平行于该入射光的偏振方向上的长度是m时,满足m≥1.5·l。
5.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
当该导电散射器在平行于该入射光的偏振方向上的长度是l,而该导电体在垂直于该入射光的偏振方向的方向上的平均宽度是n时,满足n≥0.4·l。
6.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
在该导电体的相对着该导电散射器并且相对于该入射光的偏振方向成0°到45°之间的角度的相对面中,当该导电散射器在平行于该入射光的偏振方向上的长度是l,而自该导电散射器上的近场光峰值强度位置的距离是a时,满足0.7·l≤a≤3·l。
7.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
在该导电体的相对着该导电散射器并且相对于该入射光的偏振方向成大于45°但不超过90°的角度的相对面中,当该导电散射器在平行于该入射光的偏振方向上的长度是l,而自该导电散射器上的近场光峰值强度位置的距离是b时,满足b≥l。
8.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
该入射光照射到该导电散射器和该导电体上的光斑形状近似为圆形,并且其中
当该导电体的相对于该入射光的偏振方向成0°到45°之间角度的相对面到该导电散射器上的近场光峰值强度位置的距离是a,而该导电体的相对于该入射光的偏振方向成大于45°但不超过90°角度的相对面到该导电散射器上的近场光峰值强度位置的距离是b时,满足a≤b。
9.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
该入射光照射到该导电散射器和该导电体上的光斑形状不是标准的圆形,并且其中
在该导电体的相对于该入射光的偏振方向成0°到45°之间的角度的相对面上该入射光的平均光强是Ia1,而在该导电体的相对于该入射光的偏振方向成大于45°但不超过90°的角度的相对面上该入射光平均光强是Ia2时,满足Ia1≥Ia2。
10.如权利要求1所述的近场光发生装置,其中
通过对该导电体施加电流,在该导电散射器的产生该近场光的位置产生磁场。
11.一种近场光产生方法,包括下列步骤:
设置散射器和导电体,该散射器通过入射光的照射产生的表面等离子振子产生近场光,而该导电体具有大致平行于照射到该散射器的入射光的偏振方向的边缘部分,从而该导电体的边缘部分大致平行于该入射光的偏振方向,并且处于位置偏离在该散射器的表面等离子振子的振荡方向上延伸的区域;以及
沿着该导电体的边缘部分产生表面等离子振子,从而与没有设置该导电体的情况相比,放大了该散射器中产生的该近场光的强度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810142820.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:废气净化系统的再生控制方法以及废气净化系统
- 下一篇:切丝机