[发明专利]再加工半导体衬底的方法和形成半导体器件的图案的方法

权利要求书

1.一种再加工半导体衬底的方法，该方法包括：

在衬底上形成有机抗反射涂层；

在该有机抗反射涂层上形成光致抗蚀剂图案；

当该光致抗蚀剂图案中出现缺陷时，曝光具有该光致抗蚀剂图案的该衬底的整个表面；以及

在不损伤该有机抗反射涂层的情况下通过执行显影工艺移除整个曝光表面的该光致抗蚀剂图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成该有机抗反射涂层包括通过旋涂在该衬底上形成该有机抗反射涂层所使用的有机材料形成初级有机抗反射涂层；并在180℃至230℃的温度下烘焙该初级有机抗反射涂层。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成该光致抗蚀剂图案包括在该有机抗反射涂层上形成光致抗蚀剂膜；利用曝光掩模选择性地曝光光致抗蚀剂膜；以及利用显影液显影该曝光的光致抗蚀剂膜。

4.如权利要求1所述的方法，其中利用从由ArF光源、ArF激光、KrF光源、KrF激光、F₂光源、F₂激光和Hg-Xe光源、Hg-Xe激光组成的组中选择的光源曝光该衬底的整个表面。

5.如权利要求1所述的方法，其中利用包括四甲基铵羟化物(TMAH)的显影液执行显影工艺。

6.如权利要求1所述的方法，还包括在曝光该衬底的整个表面之后，在100℃到130℃的温度下烘焙该整个表面曝光的光致抗蚀剂图案。

7.如权利要求6所述的方法，其中在110℃到120℃的温度进行烘焙。

8.一种形成半导体器件图案的方法，该方法包括：

根据权利要求1在移除该整个表面曝光的光致抗蚀剂图案之前，在100℃到130℃的温度下烘焙该整个表面曝光的光致抗蚀剂图案；

在移除该整个表面曝光的光致抗蚀剂图案之后，在该有机抗反射涂层上形成第二光致抗蚀剂图案，其中该光致抗蚀剂图案是第一光致抗蚀剂图案；

利用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模通过图案化蚀刻目标层形成目标层图案，其中在形成该有机抗反射涂层之前，在该衬底上形成该蚀刻目标层；以及

移除第二光致抗蚀剂图案。

9.如权利要求8所述的方法，其中该目标层图案包括栅结构和导电配线。

10.如权利要求8所述的方法，其中在110℃到120℃的温度下进行烘焙。

11.如权利要求8所述的方法，其中形成该有机抗反射涂层包括通过旋涂在衬底上形成该有机抗反射涂层所使用的有机材料形成初级有机抗反射涂层；并且在180℃到230℃的温度下烘焙该初级有机抗反射涂层。

12.如权利要求8所述的方法，其中形成该光致抗蚀剂图案包括在该有机抗反射涂层上形成光致抗蚀剂膜；利用曝光掩模选择性地曝光该光致抗蚀剂膜；以及利用显影液显影该曝光的光致抗蚀剂膜。

13.如权利要求8所述的方法，其中形成该第二光致抗蚀剂图案包括在该有机抗反射涂层上形成光致抗蚀剂膜；利用曝光掩模选择性地曝光该光致抗蚀剂膜；以及利用显影液显影该曝光的光致抗蚀剂膜。

14.如权利要求8所述的方法，其中利用从由ArF光源、ArF激光、KrF光源、KrF激光、F₂光源、F₂激光和Hg-Xe光源、Hg-Xe激光组成的组中选择的光源曝光该衬底的整个表面。

15.如权利要求8所述的方法，其中利用包括四甲基铵羟化物(TMAH)的显影液执行该显影工艺。