[发明专利]一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极无效
| 申请号： | 200810143347.6 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101418433A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈理;李国强 | 申请（专利权）人： | 湖南玉丰真空科学技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 湘潭市雨湖区创汇知识产权代理事务所 | 代理人： | 左祝安 |
| 地址： | 411100湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 利用率 平面 磁控溅射 阴极 | ||
【权利要求书】：
1、一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，它由包括阴极体外壳(5)、磁靴(6)、磁铁(3)、冷却通道(2)和靶材(1)构成，其特征是：在靶材(1)和冷却通道(2)之间设置有调整磁场的金属薄片(7)，所述金属薄片(7)为导磁金属材质。
2、根据权利要求1所述的可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，其特征是：所述金属薄片(7)与靶材(1)的底部固联。
3、根据权利要求2所述的可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，其特征是：在靶材(1)的底部设置一凹槽，金属薄片(7)嵌装在靶材(1)的底部设置的凹槽内。
4、根据权利要求1所述的可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，其特征是：金属薄片(7)成活动配合设置在靶材(1)的底部。
5、根据权利要求1所述的可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，其特征是：在金属薄片(7)与靶材(1)之间设置导热性能好的过渡层。
6、根据权利要求1、2、3、4或5所述的可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，其特征是：所述金属薄片(7)为一整片金属。
7、根据权利要求1、2、3、4或5所述的可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极，其特征是：所述金属薄片(7)为2片或2片以上的金属薄片。
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