[发明专利]串行总线的接口电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种总线的接口电路，尤其涉及一种用于一串行总线可减 少漏电流的接口电路。

背景技术

总线被用来在主装置与附属装置之间，传送数据、时钟或地址，可分 为串行式及并行式两种。串行总线将多个数据同时传输，也因此比并行总 线节省较多针脚。在串行总线系统中，主装置(或附属装置)利用一接口 电路输出单端逻辑信号，而附属装置(或主装置)根据逻辑电平判断接收 数据为何。

请参考图1，图1为用于一内部集成电路(Inter-Integrated Circuit，简 称I²C)总线的一接口电路10的示意图。接口电路10由一电压大小为V2 的电压驱动，包含一电流源100、一具有一门限电压Vtn的N型金属氧化 半导体N1及一史密斯触发器120。主装置12由一电压大小为V1的电压驱 动，用来输出一数据信号SDA(或一时钟信号)至接口电路10，其最大电 平为V1。N型金属氧化半导体N1为一开关电路，其通过栅极接收数据信 号SDA，而通过漏极输出一电压信号Vx。当N型金属氧化半导体N1导通 时，电流源100提供大小为I的一电流IV2。史密斯触发器120亦由电压 V2驱动，用来将电压信号Vx转成一数据输出信号SDA_IN，其为方波信 号，具有最大电平V2。

请参考图2，图2为图1接口电路10的信号时序示意图。相关信号由 上至下为数据信号SDA、电压信号Vx、数据输出信号SDA_IN及电流IV2。 由图可知，当数据信号SDA导通N型金属氧化半导体N1时，电流IV2通 过N型金属氧化半导体N1流至接地端，此时电压信号Vx大小为接地端的 接地电压，而电流IV2大小为I；当数据信号SDA使N型金属氧化半导体 N1关闭时，电流IV2大小为0，而电压信号Vx大小为V2。

因此，当数据信号SDA操作在最大电平V1时，电流IV2也操作在最 大电流电平I，其造成接口电路10不少的功率消耗。再者，主装置12一般 处于待命时，会维持数据信号SDA在电平V1，在此情况下，电流IV2形 如一漏电流。除此之外，漏电流的情形也发生在史密斯触发器120。

发明内容

因此，本发明的主要目的在于提供一种用于一串行总线可减少漏电流 的接口电路。

本发明公开一种用于一串行总线的接口电路，包含有一接收端、一输 出端、一第一开关电路、一电压源及一第二开关电路。该接收端用来接收 一输入信号，而输出端用来输出一第一电压信号。该第一开关电路耦接于 该接收端、该输出端及一接地端，用来根据该输入信号与该接地端的一接 地电压的差值，决定该输出端与该接地端的耦接状态。该电压源用来对一 驱动电压产生一压降，以提供一第一电压。第二开关电路耦接于该接收端、 该第一开关电路、该输出端及该电压源，用来根据该输入信号与该第一电 压的差值，决定该第一开关电路与该电压源的耦接状态。

附图说明

图1为已知一接口电路的示意图。

图2为图1接口电路的信号时序示意图。

图3为本发明一实施例用于一串行总线主装置的一接口电路的示意图。

图4为本发明实施例用于一内部集成电路总线的一接口电路的示意图。

图5为图4接口电路的信号时序示意图。

图6为本发明实施例用于一内部集成电路总线的一接口电路的示意图。

图7为图6接口电路的信号时序示意图。

图8为本发明实施例用于一内部集成电路总线的一接口电路的示意图。

图9为图8接口电路的信号时序示意图。

【主要元件符号说明】

10、30、40、60、80    接口电路

100    电流源

Vtn、Vtp门限电压

N1     N型金属氧化半导体

P1、P2    P型金属氧化半导体P1

120       史密斯触发器

SDA       数据信号

Vx、Vx’  电压信号

SDA_IN    数据输出信号

I         电流电平

600       加速电路

602       反向器

S1、S2    开关

VS1、VS2  控制信号