[发明专利]薄膜体声波谐振器以及制造该谐振器滤波器,复合电子元器件和通信器件的方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器(100)，它包括：

压电薄膜(103)；和，

一对将压电薄膜插入在其中的电极(101，102)；

其特征在于：

所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少 一部分向外延伸的外围区域(104)，

所述外围区域，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域 (105)，以及

所述声阻尼区域包括在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不 存在的同类或不同类原子(29)，并且，在所述压电薄膜中，所述声阻尼区域采 用与不是所述声阻尼区域的任何区域相同的材料构成。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：

声阻尼区域具有比不是声阻尼区域的任何区域都低的可结晶性。

3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述声阻尼区 域与所述压电薄膜中的除所述声阻尼区域以外的区域相比，在X射线衍射摆动 曲线的半高值处的全宽度更大。

4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：台阶部分(17， 17a)是在直接位于所述声阻尼区域下的任何元件的表面上形成的。

5.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：在谐振器部分 中的压电薄膜的晶格常数和在声阻尼区域中的压电薄膜的晶格常数之间的差 异大于在谐振器部分中的压电薄膜的晶格常数和在不是声阻尼区域的任何区 域中的压电薄膜的晶格常数之间的差异。

6.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：声阻尼区域包 括激光辐射的痕迹。

7.一种适用于生产薄膜体声波谐振器的方法，该方法包括步骤：

在衬底上形成下电极；

在下电极上或上方形成压电薄膜；

在压电薄膜上或上方形成上电极；

其特征在于：

形成压电薄膜的步骤包括：形成压电薄膜，使之具有从由上电极、压电薄 膜和下电极所构成的谐振器部分的外围的至少一部分向外延伸的区域；并且通 过热扩散原子，确保向外延伸的压电薄膜区域中至少一部分具有比压电薄膜的 谐振器部分更低的可结晶性，从而形成可阻尼声波的声阻尼区域。

8.如权利要求7所述的生产薄膜体声波谐振器的方法，还包括：在直接 位于压电薄膜下的任何元件的表面的一部分中形成台阶部分的步骤，

其特征在于：在形成压电薄膜的步骤中，也在台阶部分上形成压电薄膜， 从而形成声阻尼区域。

9.如权利要求7所述的生产薄膜体声波谐振器的方法，还包括步骤：调 整用于形成直接位于压电薄膜下的任何元件的材料和/或条件，使得在谐振器 部分中的压电薄膜的晶格常数和与声阻尼区域相对应的元件表面部分的晶格 常数之间的差异大于在谐振器部分中的压电薄膜的晶格常数和与不是声阻尼 区域的任何区域相对应的元件表面部分的晶格常数之间的差异，和，

其特征在于：在形成压电薄膜的步骤中，也在对应于声阻尼区域的元件表 面部分上形成压电薄膜，从而形成声阻尼区域。

10.如权利要求7所述的生产薄膜体声波谐振器的方法，其特征在于：在 形成压电薄膜的步骤中，激光光束辐射要形成声阻尼区域的区域，从而形成声 阻尼区域。