[发明专利]半导体器件和偏移电压调节方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

熔断器部分，具有构造成产生开关控制信号的多个熔断器电路；

其中，所述多个熔断器电路中的每一个包括：

熔断器，连接在第一电源电压和切断节点之间；

电流源，连接在第二电源电压和输出节点之间；

第一晶体管，连接在所述输出节点和所述切断节点之间，并具有 与所述第二电源电压连接的栅极；

第三晶体管，连接在所述输出节点和所述第二电源电压之间；

第四晶体管，连接在所述第一电源电压和所述第三晶体管的栅极 之间，并具有与所述切断节点连接的栅极；以及

第五晶体管，连接在所述第二电源电压和所述第三晶体管的栅极 之间，并具有与所述第二电源电压连接的栅极，

其中，所述电流源包括第二晶体管，所述第二晶体管的源极和栅 极与所述第二电源电压连接，所述第二晶体管的漏极与所述输出节点 和所述第一晶体管的漏极连接，以及所述第一晶体管的源极与所述切 断节点和所述熔断器连接，并且

其中，所述第二晶体管是耗尽型N沟道MOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述熔断器电路还 包括第一电阻器，连接在所述输出节点和所述第二晶体管的漏极之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述熔断器电路还 包括：

第二电阻器，连接在所述第四晶体管的栅极和所述切断节点之间； 以及

二极管，连接在所述第四晶体管的栅极和所述第一电源电压之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

连接在所述第二电阻器和所述第四晶体管的栅极之间的第三电阻 器，

其中，所述第四晶体管的栅极通过所述第三电阻器和所述第二电 阻器与所述切断节点连接。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中，所 述第一晶体管是P沟道晶体管，以及

其中，所述第一电源电压高于所述第二电源电压。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中，所 述第一晶体管是N沟道晶体管，以及

其中，所述第一电源电压低于所述第二电源电压。

7.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中，在 不切断任何熔断器的情况下，所述熔断器部分基于提供到所述切断节 点的调节数据产生所述开关控制信号。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，基于与所述调节数 据对应并提供到所述切断节点的熔断器切断数据，选择性地切断所述 多个熔断器电路的所述熔断器。

9.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中，给 所述第一晶体管的阱电压供给所述第一电源电压。