[发明专利]显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810144368.X | 申请日： | 2008-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101355037A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成第一半导体膜；
将第一杂质添加到所述第一半导体膜中，该第一杂质赋予第一 导电类型或第二导电类型；
在将所述第一杂质添加到所述第一半导体膜中之后，用激光照 射所述第一半导体膜；
在用激光照射所述第一半导体膜之后，在所述第一半导体膜上 形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成第二半导体膜，该第二半导体膜包含赋予 所述第一导电类型的第二杂质；以及
在所述第二半导体膜上形成源电极及漏电极，
其中，所述第一半导体膜是微晶半导体膜。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述第 一导电类型是n型，而所述第二导电类型是p型。
3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述缓 冲层是非晶半导体膜。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述缓 冲层包含氮或氢。
5.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述缓 冲层包含氟、氯、溴或碘。
6.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成栅电极；
在所述栅电极上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成第一半导体膜，该第一半导体膜包含赋予 第一导电类型或第二导电类型的第一杂质；
在形成所述第一半导体膜之后，用激光照射所述第一半导体 膜；
在用激光照射所述第一半导体膜之后，在所述第一半导体膜上 形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成第二半导体膜，该第二半导体膜包含赋予 所述第一导电类型的第二杂质；以及
在所述第二半导体膜上形成源电极及漏电极，
其中，所述第一半导体膜是微晶半导体膜。
7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，所述第 一导电类型是n型，而所述第二导电类型是p型。
8.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，所述缓 冲层是非晶半导体膜。
9.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，所述缓 冲层包含氮或氢。
10.根据权利要求8所述的显示装置的制造方法，其中，所述缓 冲层包含氟、氯、溴或碘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
