[发明专利]三次谐波晶体振荡器有效
申请号: | 200810144657.X | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101325397A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 幕田俊胜;严汉东 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03B5/36 | 分类号: | H03B5/36;H03B5/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三次 谐波 晶体振荡器 | ||
1.一种三次谐波晶体振荡器,包括:
容器;
容纳在所述容器中的振荡器IC;以及
容纳在所述容器中的晶体元件,
其中,所述振荡器IC包括:
振荡用的晶体管,其发射极接地并且其集电极和基极之间连有偏压电阻 器,恒定电流由恒流源供至集电极和偏压电阻器间的节点;
振荡用的第一电容器,所述第一电容器通过隔DC电容器连接至基极同 时还连接至地电势;以及
振荡用的第二电容器,所述第二电容器连接在集电极和地电势之间,
其中,晶体元件的一端连接至第一电容器的非接地端,而晶体元件的另 一端连接至第二电容器的非接地端,
其中,由螺旋线构成的螺旋电感器是在容器中形成的,所述螺旋电感器 与振荡器IC是分离的,并同第一电容器一起形成并联谐振电路,并且
其中,将由第一电容器和螺旋电感器形成的并联谐振电路的并联谐振频 率设定为高于晶体元件的基波振荡频率,并低于晶体元件的三次谐波振荡频 率。
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中:
所述容器由层压陶瓷制成,所述层压陶瓷包括底部壁层和框架壁层,所 述框架壁层具有一开口部分且形成于底部壁层之上;
所述振荡器IC固定于底部壁层的暴露面上;以及
所述螺旋电感器配备于所述底部壁层之上。
3.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其中,至少部分螺旋电感器暴 露于凹槽的底面。
4.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其中,部分螺旋电感器形成于 底部壁层和框架壁层的层压面上。
5.根据权利要求3所述的晶体振荡器,其中,在螺旋电感器的、暴露 于凹槽底部表面的部分中安装了调节线,以便在螺旋电感器的相邻线圈间引 起短路。
6.根据权利要求5所述的晶体振荡器,其中,螺旋电感器的电感值可 以通过切断调节线的方式进行调节。
7.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其中,螺旋电感器是通过利用 印刷工艺在底部壁层上印刷导电材料的方式形成的。
8.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其中,所述晶体元件包括AT 切割晶体坯。
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