[发明专利]等离子体处理装置、天线和等离子体处理装置的使用方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其通过电磁波激励气体并对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，包括：

处理容器；

输出电磁波的电磁波源；

传送从所述电磁波源输出的电磁波的导体棒；

形成有贯通孔，使所述导体棒传送的电磁波透过并放出至所述处理容器的内部的电介质板；和

通过在所述电介质板中形成的贯通孔与所述导体棒连接，在至少一部分与所述电介质板的被处理体侧的面邻接的状态下，从所述电介质板的被处理体侧的面露出的金属电极，

所述金属电极的露出面中的一个面被电介质盖覆盖。

2.一种等离子体处理装置，其通过电磁波激励气体并对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，包括：

处理容器；

输出电磁波的电磁波源；

传送从所述电磁波源输出的电磁波的导体棒；

形成有贯通孔，使所述导体棒传送的电磁波透过并放出至所述处理容器的内部的电介质板；和

通过在所述电介质板中形成的贯通孔与所述导体棒连接，在至少一部分与所述电介质板的被处理体侧的面邻接的状态下，从所述电介质板的被处理体侧的面露出的金属电极，

所述金属电极的露出面不具有相对被处理体大致平行的面。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述金属电极的直径大于所述导体棒的直径。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述金属电极的露出面形成为大致圆锥形状或大致半球形状。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述金属电极的露出面中，相对处理体大致平行的面被所述电介质盖覆盖。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质盖由多孔质陶瓷形成。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质板的贯通孔设置在所述电介质板的大致中央。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述金属电极的表面由保护膜覆盖。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述导体棒的内部形成有流过气体的气体导入通路，

在所述金属电极上，形成有与形成在所述导体棒的内部的气体导入通路连通、将流过所述气体导入通路的气体导入所述处理容器的内部的气体通路。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述金属电极上形成的气体通路以在相对被处理体大致平行的方向上导入气体的方式形成。

11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述金属电极上形成的气体通路以在相对被处理体大致垂直的方向上导入气体的方式形成。

12.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述金属电极上形成的气体通路以辐射状导入气体的方式形成。

13.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体从所述气体通路直接导入所述处理容器的内部。

14.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体从所述气体通路通过所述电介质盖导入所述处理容器的内部。

15.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

设置有多个所述电介质板，

设置有与所述多个电介质板对应的多个所述金属电极。

16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个电介质板的各个电介质板以被处理体侧的面为大致矩形状的方式形成。

17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述多个电介质板的各个电介质板以被处理体侧的面为大致正方形的方式形成。

18.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电磁波源输出频率为1GHz以下的电磁波。