[发明专利]半导体器件及制作方法有效
| 申请号： | 200810144883.8 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359685A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 奥利格·格卢申科夫;萨梅尔·简;刘孝诚 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/08;H01L27/085;H01L27/092;H01L27/12;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/8232;H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，包括NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGeC层，其中该SiGeC层通过以下步骤形成：
在NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe层中注入碳；以及
对注入碳的所述SiGe层进行熔融激光退火。
2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括PFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述PFET器件受压应变。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中碳被均匀地分布于所述NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGeC层中。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述SiGeC的碳抵消所述NFET器件的源极和漏极区中的压缩力。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述NFET器件处于应变的中性态。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述SiGeC的碳使所述NFET器件处于张应变。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述SiGeC的碳不会延伸到所述NFET器件的下层衬底中。
9.如权利要求2所述的半导体器件，其中该半导体器件是CMOS器件。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述PFET处于压应变下且所述NFET处于中性态和张应变之一。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中碳均匀地分布于所述NFET的源极和漏极区中嵌入的SiGeC层中。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述SiGeC的碳抵消所述NFET的源极和漏极区中的压缩力。
13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述SiGeC的碳不会延伸到所述NFET器件的下层衬底中。
14.一种制作半导体器件的方法，包括：
在NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe；
在嵌入的SiGe中注入碳，以在所述NFET器件的源极和漏极区中形成SiGeC层；以及
加热所述SiGeC以使碳均匀分布在所述SiGeC层中，从而抵消由嵌入的SiGe引起的应变，
其中所述加热是熔融激光退火。
15.根据权利要求14所述的制作半导体器件的方法，其中所述加热为低于下层衬底的熔点。
16.根据权利要求14所述的制作半导体器件的方法，其中所述碳在所述NFET器件的源极和漏极区的快速退火之前或之后注入。
17.根据权利要求14所述的制作半导体器件的方法，还包括在PFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe及在注入步骤中阻挡所述PFET器件的源极和漏极区。
18.根据权利要求17所述的制作半导体器件的方法，还包括在所述注入步骤中及所述NFET的源极和漏极区的注入中使用相同的掩模遮掩所述PFET器件。
19.根据权利要求17所述的制作半导体器件的方法，其中在所述NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe与在所述PFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe同时进行。
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