[发明专利]具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包括：

一第一字线导体；

一第二字线导体；

第一及第二存取元件，其具有各自的存储单元接触与源极线接触，且 回应至该第一及第二字线导体；

一存储单元包含一第一电极、一第二电极及一存储元件于该第一电极 与第二电极之间，该第一电极与该第一及第二存取元件的存储单元接触电 性沟通，且其中该存储元件具有一设置状态及一复位状态，且包含一相变 化材料；

一位线与该存储单元的该第二电极电性沟通；以及

控制电路安排同时使用该第一以及第二字线导体以存取该存储单元 进行复位操作，来建立自该位线通过该存储单元同时至该第一及第二存取 元件的该源极线接触的一电流通道；

其中，该相变化材料具有一非晶相与一结晶相，且其中在该存储单元 的该复位状态时，大部分地该存储元件的一主动区域在该非晶相，而在该 存储单元的该设置状态时，大部分地该存储元件的该主动区域在该结晶 相。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，其中该第一存取 元件包含一二极管，且该第一字线导体耦接至该第一存取元件的该源极线 接触。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，其中该第一存取 元件包含一第一晶体管，其具有一源极、一漏极和一栅极，且该第一字线 导体耦接至该第一晶体管的该栅极，该第一存取元件的该源极线接触包含 该第一晶体管的该源极，且该第一存取元件的该存储单元接触包含该第一 晶体管的该漏极，而该第二存取元件包含一第二晶体管，其具有一源极、 一漏极和一栅极，且该第二字线导体耦接至该第二晶体管的该栅极，该第 二存取元件的该源极线接触包含该第二晶体管的该源极，且该第二存取元 件的该存储单元接触包含该第二晶体管的该漏极。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，其中该存储单元 包含一绝缘构件于该第一及第二电极之间，且一存储材料导桥横越该绝缘 构件自该第一电极延伸至该第二电极，其中该存储材料具有至少两个固态 相。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，其中该控制电路 更包含安排使用该第一字线导体以存取该存储单元进行读取操作，来建立 自该位线通过该存储单元至该第一存取元件的该源极线接触的一电流通 道。

6.一种存储装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，其具有一栅极介电层；

一第一字线导体于该栅极介电层之上；

一第二字线导体于该栅极介电层之上，且与该第一字线导体平行地安 排；

多个掺杂区域于该半导体衬底内，该多个掺杂区域包含源极及漏极终 端，该源极及漏极终端邻近于该第一及第二字线导体，该第一及第二字线 导体于形成存取电极体对的多个导体中；

一第一源极线导体安排为大致与该第一字线导体平行，且与该存取电 极体对中的一第一存取元件的源极终端接触；

一第二源极线导体安排为大致与该第二字线导体平行，且与该存取电 极体对中的一第二存取元件的源极终端接触；

一存储单元包含一第一电极、一第二电极及一存储元件于该第一电极 与第二电极之间，该第一电极与该第一及第二存取元件的存储单元接触电 性沟通，且其中该存储元件具有一设置状态及一复位状态，且包含一相变 化材料；

一位线与该存储单元的该第二电极电性沟通；以及

控制电路与该第一字线导体、第二字线导体及该位线耦接，其是操作 用来存取该存储单元进行复位操作，其可利用该第一及第二字线导体存取 该存储单元以进行复位该存储单元的操作，来建立自该位线通过该存储单 元而同时至第一及第二源极线导体的电流通道；

其中，该相变化材料具有一非晶相与一结晶相，且其中在该存储单元 的该复位状态时，大部分地该存储元件的一主动区域在该非晶相，而在该 存储单元的该设置状态时，大部分地该存储元件的该主动区域在该结晶 相。