[发明专利]Ag基合金溅射靶及其制造方法无效
申请号: | 200810145432.6 | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101376962A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 高木胜寿;森元荣一;松崎均;田内裕基 | 申请(专利权)人: | 株式会社钢臂功科研 |
主分类号: | C23C14/14 | 分类号: | C23C14/14;C23C14/34;B22F3/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ag 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
1. 一种Ag基合金溅射靶,其由含有0.6~10.5原子%的Ta、2~13原子%的Cu的Ag基合金构成,其特征在于,
在对所述溅射靶的溅射面进行图像分析时,
(1)对Ta而言,相对于Ta粒子的整个面积,当量圆直径为10μm以上50μm以下的Ta粒子的合计面积以面积率计为60%以上,并且,Ta粒子的平均重心间距离为10μm以上50μm以下;
(2)对Cu而言,相对于Cu粒子的整个面积,当量圆直径为10μm以上50μm以下的Cu粒子的合计面积以面积率计为70%以上,并且,Cu粒子的平均重心间距离为60μm以上120μm以下。
2. 如权利要求1所述的Ag基合金溅射靶,其特征在于,是用于形成光信息记录介质用反射膜的溅射靶。
3. 一种权利要求1所述的Ag基合金溅射靶的制造方法,其特征在于,包括:
准备混合粉末的工序,其中,将含有体积50%的粒径为10μm以上50μm以下的Ag粉末、体积50%的粒径为10μm以上50μm以下的Ta粉末、及体积50%的粒径为10μm以上50μm以下的Cu粉末的原料混合30~90分钟;
将所述混合粉末在500~600℃的温度进行1~3小时的热等静压压制的工序。
4. 一种权利要求2所述的Ag基合金溅射靶的制造方法,其特征在于,包括:
准备混合粉末的工序,其中,将含有体积50%粒子的径为10μm以上50μm以下的Ag粉末、体积50%的粒径为10μm以上50μm以下的Ta粉末、及体积50%的粒径为10μm以上50μm以下的Cu粉末的原料混合30~90分钟;
将所述混合粉末在500~600℃的温度进行1~3小时的热等静压压制的工序。
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